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常用半导体词汇 1 Active Area 主动区（工作区） 主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的 区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。在标准之 MOS制造过程中 ACTIVE AREA 是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利 用到局部场氧化之步骤，所以 ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响 而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长 0.6UM 之场区氧化而言，大 概会有 0.5UM之 BIRD’S BEAK存在，也就是说 ACTIVE AREA比原在之氮化硅光 罩所定义的区域小 0.5UM。 2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为 CH3COCH3。2. 性 质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在 FAB 内之用途，主要在于黄光室 内正光阻之清洗、擦拭。4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性， 长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚 至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5. 允许浓度 1000PPM。 3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写 2.目的： 检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显 影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为之。 4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即 After Etching Inspection，在蚀刻制程 光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高 产品良率，避免不良品外流。2-2 达到品质的一致性和制程之重复性。2-3 显示 制程能力之指针 2-4阻止异常扩大，节省成本 3.通常 AEI检查出来之不良品，非 必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性 变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。 5 AIR SHOWER 空气洗尘室 进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣 室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。 6 ALIGNMENT 对准 1. 定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩 上的对准键合对为之。2. 目的：在 IC 的制造过程中，必须经过 6~10 次左右的 对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。 3. 方法：A.人眼对准 B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。 7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy 之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接 触有 Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。 8 AL/SI 铝/硅 靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用 Ar游离 的离子，让其撞击此靶的表面，把 Al/Si 的原子撞击出来，而镀在芯片表面上， 一般使用之组成为 Al/Si (1%)，将此当作组件与外界导线连接。 9 AL/SI/CU 铝/硅 /铜 金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为 TARGET， 其成分为 0.5﹪铜，1﹪硅及 98.5﹪铝，一般制程通常是使用 99﹪铝 1﹪硅，后 来为了金属电荷迁移现象（ELEC TROMIGRATION）故渗加 0.5﹪铜，以降低金属 电荷迁移。 10 ALUMINUN 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用 Ar游离的 离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把 Al 的原子撞击出来，而镀在芯片表 面上，将此当作组件与外界导线之连接。 11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是为了测量 Junction 的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之 Angle Lapping。 公式为 Xj=λ/2 NF即 Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。 但渐渐的随着 VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。如 SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是应用 Angle Lapping的方法作前处理，采用的方法是以 表面植入浓度与阻值的对应关系求出 Junction 的深度，精确度远超过入射光干 涉法。 12 ANGSTRON 埃 是一个长度单位，其大小为 1 公尺的百亿分之一，约为 人的头发宽度之五十万分之一。此单位常用于 IC制程上，表示其层（如 SiO2， Poly，SiN….）厚度时用。 13 APCVD（ATMOSPRESSURE