西安交通大学微电子制造技术十五光刻.PPTVIP

微电子制造技术第 15 章 光刻：显影和先进的光刻技术;概 述;学 习 目 标;曝光后的烘陪（PEB）;PAG;(d）PEB的结果;显 影;X;负胶显影 负胶通过紫外线曝光发生交联而变硬，使曝光的光刻胶变得在显影液中不可溶解。对于负胶显影工艺，显影过程中几乎不需要化学反应，主要是未曝光的光刻胶的溶剂清洗。;正胶显影 正性光刻胶主要针对亚微米工艺的精细图形的光刻，为了满足不同的要求，光刻胶中往往都加有一种酚醛基的树脂，不同的正胶加有不同的树脂。在显影过程中加入的这些树脂材料都必须溶掉，所以一般使用碱性显影液。 正胶显影主要是显影液和光刻胶之间的化学反应（见图15.5），通过反应溶解被曝光的光刻胶。溶解的速率称为溶解率（显影速度），高的溶解速度有助于提高生产率，但太高的溶解率会影响光刻胶的特性。 要求显影??具有选择性，高的显影选择比意味着显影液与曝光的光刻胶反应的快，而与未曝光的光刻胶反应的漫。 ; 曝光的光刻胶 溶解在显影液中;显影方法;连续喷雾显影 用于连续喷雾显影的设备和光刻胶喷涂系统相似。可以用一个或多个喷嘴喷洒显影液到硅片表面，硅片以很慢地速度旋转。喷嘴喷雾模式和旋转速度是实现硅片间光刻胶溶解率和均匀性及可重复性的关键可变因素。;旋覆浸没显影;(d) 甩干;光刻胶显影参数;坚 膜;光刻胶;显影检查;Photo 15