學习情景二：石英预制棒制造.pptVIP

光纤预制棒概念;图2-1 大直径石英光纤预制棒外观图;图2-2 小直径石英光纤预制棒外观图;目前最为成熟和目前国内外光纤制造企业广泛使用的为四中大的预制棒制备工艺为;§2.21 外部气相沉积法——OVD预制棒 制备工艺技术;OVD法制作预制棒的原理图;OVD法制作芯棒及抽芯——芯棒的脱水和烧结 ——延 伸芯棒 ——在芯棒外沉积外包层。;图2－3 OVD沉积设备外观简图;图2－4 OVD烧结设备外观结构简图;在芯棒外沉积外包层：在延伸好的芯棒外沉积疏松体，而后进行脱水和烧结。 ;③成本较低，工作效率高；;;2）作为当前主流工艺二步法SOOT方法的发展，是指 从依次沉积芯、包层连续制成预制棒的“一步法”发 展到“二步法”；即先用陶瓷棒或石墨棒为靶棒,只 沉积芯材料(含少量包层)做出大直径芯棒,经去水烧 结后,把该大直径芯棒拉细成多根小直径芯棒,再用这 些小直径芯棒为靶棒来沉积包层,同时还为其他工艺 如VAD/PCVD/MCVD制造的芯棒进行外沉积，沉积包 层，制成光纤预制棒,大大提高了生产率、降低了成 本。;;MCVD（改进的化学汽相沉积）原理图;MCVD的工艺流程;熔缩：因为是管内法包括（MCVD、PCVD），因此沉积后得到都是中心有孔的沉积管，所以必须有一道工序就是沿沉积管方向用往返移动的氢氧焰或加热炉对不断旋转的管子加热，在表面张力的作用下，分阶段将沉积好的石英管熔缩成实心棒，即光纤预制棒。;3）料柜：一般是蒸发料柜，即通过鼓泡的方式将液态的SiCl4和GeCl4等原材料变成气态带入反应管。;图2－5 MCVD设备外观图;②可以生产高质量的单模和多模光纤且多模光纤损耗可稳定2 ～ 4dB/Km,单模光纤损耗可达到0.2～0.4dB/Km,并具有很好的重复性. ;两步法：目前，预制棒的生产多采用“两步法”复合工艺技术，即先制造预制棒芯棒，然后在芯棒外采用不同技术制造外包层或直接套管，在不影响光纤性能的同时增加预制棒单棒可拉丝长度，提高生产效率，降低光纤生产成本．图1显示了“两步法”的复合工艺流程．;“两步法”的复合工艺特征图;VAD制作预制棒的原理：;VAD制作预制棒原理图;VAD与OVD的区别：;(2)熔缩透明化：将多孔的粉尘棒加热收缩得透明芯棒坯。;(5)脱水收棒：将芯/包层比接近1/14的粉尘予制棒加热收缩成可拉丝的透明光纤坯棒。这一阶段的脱水处理十分重要，要求含水量在10ppb（10-9）之下。 ;③用VAD法制备的多模光纤不会形成中心部位折射率凹陷或空眼，因此其带宽要比MCVD法高一些。;VAD虽然和OVD一样属于外沉积法，但其的发展却同 PCVD、MCVD一样体现在制造芯棒技术的进步方面， 这包括从连续制造预制棒工艺即芯和包层同时沉积、 同时烧结发展为先做出大直径芯棒,然后把该大直径 芯棒拉细成多根小芯棒,再用套管法制成预制棒。当 前最重要的变化就是采用混合工艺代替传统套管。 即VAD+OVD。;§2.24 等离子气相沉积——PCVD预制棒制备工艺 ;PCVD（等离子体化学汽相沉积）原理图;;PCVD与MCVD工艺的不同点：热源和反应机理，PCVD工艺用的热源是微波，其反应机理为微波激活气体产生等离子使反应气体电离，电离的反应气体呈带电离子。带电离子重新结合时释放出的热能熔化气态反应物形成透明的石英沉积层。;②熔缩：沉积后的下一步就是把沉积管熔缩成实心棒。沿管子方向往返移动的石墨电阻炉对不断旋转的管子加热到大约2200摄氏度，在表面张力的作用下，分阶段将沉积好的石英管熔缩成一根实心棒（预制棒）。其熔缩现场如图;③套 棒：为获得光纤芯层与包层材料的适当比例，将熔缩后的石英棒套入一根截面积经过精心挑选的管子中，这样装配后即可以进行拉丝。;PCVD预制棒制造工艺流程具体步骤简图：其中，a：保温炉 b：谐振腔 c ：等离子体 d：石英反应管 e：磁控管 f：真空泵； g：电加热炉 h：沉积管 I：芯棒 j：套管 k：拉丝 ;PCVD的优缺点;⑤沉积速度快，成本低，易于批量生产。;③沉积膜中的残留气体问题。用PCVD法所得TiN薄膜中的氯气含量随沉积温度的升高而降低，一般来讲，沉积温度高，速度慢，可减少残余气体量，在Si3N4膜中，若含氢量多，会影响膜的介电性能。 ;§2.3 制作大型预制棒的新工艺—混合工艺;所谓“两步法”并不局限于一种工艺的两步，更多时 候是混合几种工艺，因此也常被称作混合工艺法。不 难看出，在混合工艺中，光纤预制棒的光学特性主要 取决于芯棒制造技术；光纤预制棒的成本主要取决于 外包技术,因此,芯棒制造技术加上外包技术才能全面 说明当前光纤预棒制造工艺的特征。 ;MCVD;§2.6 石英光纤预制棒测试技术;§2.7 石英光纤预制棒制造辅助工序;图2-17 接管/接棒车床;③胶--凝胶法制成合成石英