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年第 期 卷
０２０３６ ２０１６ ２ (４７)
文章编号: ( )
１００１Ｇ９７３１２０１６０２Ｇ０２０３６Ｇ０５
掺杂 电磁性质的第一性原理研究 ?
Fe CdTe
, ,
李昭宁１２,赵新才１,王伟平１２
中国工程物理研究院流体物理研究所 四川 绵阳
(１． , ６２１９９９;
中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室 四川 绵阳
２． , ６２１９９９)
摘 要: 使用基于密度泛函理论的第一性原理方法, 材料制备与应用工艺的提升 以及理论计算方法
CdTe ,
计算研究了 掺杂 的晶格结构与电磁性质变 的成熟 有必要对基于 的稀 磁 半 导 体 进 行 更 深
Fe CdTe , CdTe
化.研究发现,掺杂体系的晶格常数与电子结构等随 层次 的 研 究 因 此 本 文 使 用 基 于 密 度 泛 函 理 论
. ,
掺杂 原子的位置不同而异.通过能带结构与电子 的第一性原理方法对 进行了计算
Fe (DFT) (Cd,Fe)Te
态密度的分析表明,不同占据位的 原子表现出迥异 研究 揭示了 原子在不同掺杂位置 替代位和间隙
Fe , Fe (
的电子能级分布、轨道杂化等,从而引起体系电子性质 位 下体系的电磁性质变化
) .
与原子磁矩的显著变化.其中,替代位与间隙位 杂
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