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10-19(场效应管)1
设共射放大电路在室温下运行，其参数为：; 解：; 解：;2、试计算它的中频源电压增益，并用分贝数表示；;3、试计算它源电压增益的上限频率;;所以该电路源电压增益的下限频率为;1. N沟道增强型MOSFET的结构;剖面图;2. 工作原理;（2）可变电阻区和饱和区的形成机制;;预夹断后，继续增加vDS;S;（3） vDS和vGS同时作用时;①沟道中只有一种类型的载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;⑵转移特性;输入特性;4.1.4 沟道长度调制效应;4.1.4 沟道长度调制效应;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.2.1 MOSFET基本共源极放大电路;假设工作在饱和区,则漏极电流为; 2.图解分析;4.1.4
4.2.1
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