图像传感器教程.ppt

*;光电传感器的物理效应分类;1934年就成功地研制出光电摄像管（Iconoscope），用于室内外的广播电视摄像。但是，它的灵敏度很低，信噪比很低，需要高于10000lx的照度才能获得较为清晰的图像。使它的应用受到限制。 1947年制出的超正析像管（Imaige Orthico），它的灵敏度有所提高，但是最低照度仍要求在2000lx以上。 1954年投放市场的高灵敏视像管（Vidicon）基本具有了成本低，体积小，结构简单的特点，使广播电视事业和工业电视事业有了更大的发展。 ;1965年推出的氧化铅视像管(Plumbicon)成功地取代了超正析像管，发展了彩色电视摄像机，使彩色广播电视摄像机的发展产生一次飞跃。诞生了1英寸，1/2英寸，甚至于1/3英寸（8mm）靶面的彩色摄像机。然而，氧化铅视像管抗强光的能力低，余辉效应影响了它的采样速率。 1976年，又相继研制出灵敏度更高，成本更低的硒靶管（Saticon）和硅靶管（Siticon）。不断满足人们对图像传感器日益增长的需要。 1970年，美国贝尔电话实验室发现的电荷耦合器件（CCD）的原理使图像传感器的发展进入了一个全新的阶段，使图像传感器从真空电子束扫描方式发展成为固体自扫描输出方式。;光电成像器件;固体：器件为固态器件,采用半导体工艺制成。（对比：真空成像器件采用真空玻璃壳中的靶进行图像转换） 成像：利用半导体材料的光电效应，实现光电转换，通过驱动电信号实现光学图像的转换、信息存贮及按顺序输出，形成电子图像。（对比：真空成像器件采用电子束扫描方式）;固体图像传感器的优点;“CCD是数码相机的电子眼,它革新了摄影术。现在光可以被电子化记录,取代了胶片。这一数字形式极大地方便了对图像的处理和发送。无论是我们大海中深邃之地,还是宇宙中的遥远之处,它都能给我们带来水晶般清晰的影像”。;1970年，Boyle(左)和Smith(右)在测试用最初状态的CCD元件组装的简易拍摄装置。;1973年，仙童公司的产品，第一块商用CCD ;柯达的塞尚先生被尊为数码相机之父，而1975年，他的第一台电子相机使用的核心成像元件正是一块5万像素的仙童产CCD ;70年代末，RCA对天文拍摄用CCD的研究，使其得以因基特峰国家天文台的1米望远镜安装了??自产的320*512像元制冷CCD而名声大造;天文摄影中，使用的大型CCD阵列，由多块不同尺寸，不同特性的CCD成像元件组成 ;1981，索尼Mavica电子相机，数码单反的先驱 ;;电荷耦合器件，又称CCD图象传感器，是一种大规模集成电路光电器件；电荷耦合器件具有光电转换，信息存储、转移传输、处理以及电子快门等功能。 特点： 1.集成度高、尺寸小、电压低（DC-7～12V）功耗小。 2.空间分辨率高，线阵分辨能力7μm，面阵分辨率在1000电视线以上； 3.光电灵敏度高，可达0.01lx；动态范围大，信噪比60～70dB； 4.可选模拟、数字不同输出形式，便于和计算机连机。;;;CCD ( Charge Coupled Device ) 电荷藕合器件图像传感器CCD，它集成在高感光度的半导体单晶材料上，能把光线转变成电荷，通过模数转换器芯片转换成数字信号。CCD由许多感光单位组成，通常以百万像素为单位。当CCD表面受到光线照射时，每个感光单位会将电荷反映在组件上，所有的感光单位所产生的信号加在一起，就构成了一幅完整的画面。 CMOS ( Complementary Metal-Oxide-Semiconductor ) 互补金属氧化物半导体，它集成在被称做金属氧化物的半导体材料上。;;CCD的工作原理;表面沟道CCD;;;感光芯片的设计思想：就是分割被描述区域，用相应的灰度填充。;实物;实物;实物;实物;实物; 电荷耦合器件是在半导体硅片上 制作成百上千（万）个光敏元， 一个光敏元又称一个像素，在半 导体硅平面上光敏元按线阵或面 阵有规则地排列。 CCD基本结构分两部分： MOS光敏元阵列； 读出移位寄存器。 ;CCD单元部分，就是一个由金属-氧化物-半导体组成的电容器。这一装置能够完成光电转换。在P型单晶硅的衬底上做一层绝缘氧化膜，通过活化置换技术再在氧化膜表面做出许多排列整齐的可透光的电极，当光线通过时，氧化膜与P型单晶硅之间产生电荷，其电荷的数量与光照强度及照射时间成正比。; ;;;;一个MOS光敏元（金属—氧化物—半导体） 当金属电极上加正电压时，由于电场作用，电极下形成耗尽区。对电子而言是一势能很低的区域，称“势阱”。 有光线入射到硅片上时，产生光生电子-空穴对，空穴被电场作用排斥出耗尽区，而光电子被附近势阱俘获，此时势阱内吸的光子数与光强度成正比。;若在电极上施加一个适当的正电压，会形成电荷耗尽区，即能够吸引电