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PAGE  PAGE 15 电力电子技术复习题 第 PAGE 15页（共 NUMPAGES 15页） 《电力电子技术》复习题 一、填空题 1．晶闸管的派生器件有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管和光控晶闸管。 2．典型的全控型器件有： GTO、BJT、IGBT和MOSFET。 3．功率场效应晶体管属于电压控制型、全控型器件。 4．双向晶闸管的电器符号是它属于电流控制型、半控型器件。 5.电力电子技术通常可分为( 电力电子器件制造 )技术和(变流 )技术两个分支。 6.．按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为(电流驱动 )型器件和( 电压驱动 )型器件两类，晶闸管属于其中的(电流驱动 )型器件。 7．三相桥式全控整流电路的触发方式有(双脉冲 )触发和( 宽脉冲) 触发两种，常用的是( 双脉冲 )触发。 8．三相半波可控整流电路联接方式可分为(共阴极 )组和(共阳极 )组两种。 9．电力变换可分为：整流、逆变、斩波和交流电力控制及交交变频。 10．晶闸管的派生器件有：快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管和光控晶闸管。 11．典型的全控型器件有：GTO、GTR、IGBT和MOSFET。 12．电力二极管的主要参数有：反向重复峰值电压、正向压降、浪涌电流、最高结温和正向平均电流。 二、问答题 1 晶闸管导通的条件是什么？ 答：晶闸管导通条件：①阳极与阴极之间加正向电压；②门极与阴极之间也同时加上足够大的正向电压。 2 维持导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变关断？ 答：维持导通条件：阳极电流大于维持电流IH。 使其由导通变关断：通过减小阳极电压或增大回路电阻的方式，使其阳极电流小于维持电流，使阳极电流IA下降到维持电流IH以下时，晶间管内部建立的正反馈无法进行。晶间管即关断。导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗 决定，负载上电压由输入阳极电压UA决定。 3．什么叫换流？换流方式有哪几种？ 答: 2．电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流，换流也常被称为换相。换流方式可分为以下几种：①器件换流；②电网换流；③负载换流；④强迫换流。 4．电力变换通常可分为哪四大类？都称为什么? 答：电力变换通常可分为四大类，即交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交流。交流变直流体为整流，直流变交流称为逆变。直流变直流称为直流斩波。交流变交流可以是电压或电力的变换，称作交流电力控制，也可以是频率或相数的变换，称作变频和变相。 5．什么是SPWM波形？什么叫面积等效原理? 答：SPWM波形；这种脉冲的宽度校正弦规律变化而和正弦波等效的PWM波形，称为SPWM(Sinusoidal PWM)波形。面积等效原理：冲量相等面形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 6．对于单相桥式和三相桥式可控整流电路，角的移相范围是多少? 答：对于单相桥式可控整流电路：电阻负载，角的移相范围是：；电阻电感负载，角的移相范围是：。对于三相桥式可控整流电路：电阻负载，角的移相范围是：；电阻电感负载，角的移相范围是：。 7 图题1-3中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1，Id2，Id3与电流有效值I1，I2，I3。 4 请简述晶间管的关断时间定义。 答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。即。 5 如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏？ 答；避免栅、源极间开路。 6试说明IGBT，GTR，GTO和电力M0SFET各自的优缺点。 答：对IGBT，GTR，GTO和电力M0SFET各自的优缺点比较如下表： 7 晶闸管的非正常导通方式有哪几种？ 答：非正常导通方式有：①，阳极电压升高至相当高的数值；②阳极电压上上升率du／dt过高；③结温过高。 8 什么叫GTR的一次击穿？什么叫GTR的二次击穿？ 答：处于工作状态的GTR，当其集电极反偏电压UCE渐增大电压定额BUCEO时，集电极电流IC急剧增大(雪崩击穿)，但此时集电极的电压基本保持不变．这叫一次击浑。 发生一次击穿时，如果继续增大UCE，又不限制IC，IC上升到临界值时，UCE突然下降，而IC继续增大(负载效应)，这个现象称为二次击穿。 2．逆变产生的条件及对可进行有源逆变的电路的要求。 答: 逆变产生的条件：①要有直流电动势，其极性须和晶闸管导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压。②要求晶闸管的控制角，使Ud为负值。 欲实现有源逆变，只能采用全控电路，半控桥或有续流二极管的电路不能实现有源逆变。 1．晶闸管的