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第六章：一些主要的半导体材料;第六章：一些主要的半导体材料;表6.1 一些重要的半导体材料;注：表中的晶片指可直接作器件的切磨片或抛光片；衬底指用于外延的衬底;6.1 硅 硅的化合物在历史上曾对人类的文明起了决定性的作用，硅的英文silicon来自希腊文silex（火石），人类利用它比较方便地取得火。同时各种岩石多是硅酸岩，也是古人类的工具与建筑材料。1924年分离出元素。元素状态的硅的用途在第二次世界大战前主要用作冶金的添加剂，从20世纪50年代开始，硅逐渐成为最重要的半导体材料，这种地位在可预见的将来不会发生明显的变化。 6.1.1 基本性质 Si在元素周期表内属（IV-A）族，原子序数14，原子量28.0855，在自然界无游离状态，主要以氧化物的形态存在。它在地壳的丰度达25.8%。 主要的原子价为4价，其次为2价。在常温下化学性质稳定，不溶于单一的强酸，易溶于碱。在高温下性质活泼，易与各种材料发生反应。 硅在自然界的同位素有3个，它们所占的比例分别为（%）：28Si=92.23；29Si=4.67；30Si=3.10。 硅的晶体结构在常压下为金刚石型，其晶格常数为：a=0.543nm；加压至15GPa则变为简单的面心立方结构，晶格常数a=0.6636nm。 硅的力学与热学性质见表6.2 ，半导体性质见表6.3。 ; 表6.2 硅的力学与热学性质;表6.3 硅的半导体性质;6.1.2 制备工艺 半导体硅包括多晶硅、直拉单晶硅（CZ） 、区熔单晶 硅（FZ）、磁控直拉单晶硅（ NCZ）、单晶硅的各种晶片、非晶硅等。 现在80%以上是直拉单晶，大部分以抛光片形式出售，外延片的比例在不断地增长。 这些产品的制法由图6.1所示。 ;1. 优异的半导体性质。它具有适度的禁带宽度和良好的电子迁移率，这样既可以获得高的电阻率（1×105欧姆.厘米），较高的工作温度（125oC)，又有利于制作大功率器件，做到器件的压降不高，可在功率、频率上满足很大范围的要求。 2. 良好的化学性质。它无毒，在地壳中的丰度最大，不存在资源问题，材料本身不会造成公害，生产过程中的三废也较易处理，这就保证了生产的低成本。 3. 在Si本体上容易形成SiO2，且与结合得很牢，这一点是别的半导体材料所没有的。所形成的SiO2在光刻工艺中可起到隔离的作用，也可作为介电薄膜，还能作器件的保护层，这些都可使器件工艺，特别是集成电路（IC）的工艺大为简化。;4. 良好的力学与热学性质。 硅在常温下的硬度及机械强度高，在高温下亦有较高的屈服强度，还具有较高的热导率。这就使得拉制大直径无位错单晶成为可能，在这方面其他半导体材料都望尘莫及。目前直拉法已生产出直径f300mm无位错单晶，区熔法生产出f150mm无位错单晶。 同时良好的力学性能使得Si片在器件加工中能防止引入二次缺陷，而使器件有较高的成品率。 导热性能好，可以提高器件的功率及单位面积上的功率密度，这对提高电力电子器件的功率和IC的集成度是十分重要的。表6.4示出了半导体硅的主要应用。; 表6.4 半导体硅材料的应用;6.4.1 硅材料的发展趋势 硅材料的发展趋势主要有如下几点。 1. 提高晶体完整性。 根据集成电路等器件发展的要求，当缺陷尺寸大于器件特征尺寸的1/3时，即认为有害。 硅在获得无位错单晶以后，碰到的主要缺陷为漩涡缺陷，其中A型缺陷的尺寸在微米的量级，对集成电路及电力电子器件有害，于是开发了无漩涡工艺。 最近在无漩涡缺陷的单晶中，发现了尺寸为几十纳米到几百纳米的微型缺陷，如流动图形缺陷(FPD)、红外散射断层缺陷（LSTD）、产自晶体颗粒缺陷（COP）等。这些缺陷靠调整拉晶条件难以消除。 为此开发了晶片在惰性气氛下高温处理工艺，可明显地降低此类缺陷。;2. 提高纯度与控制杂质。 严格控制在材料制备过程中的杂质污染，其中特别是重金属的污染及碳的引入。 在制片过程中要获得高洁净度的抛光片表面， 集成电路用硅对其氧含量及径向均匀性有严格的要求（见表5.4），为此要使用拉晶的计算机控制和磁控拉晶。;3. 大直径化。 现在全世界销售的硅片中，按其面积计算，直径≥150mm的硅片已占总量的70%以上。目前，300mm直径的硅片已大量应用，以后则是400mm直径的硅片。 推动大直径化的动力来自集成电路的集成度与复杂性的提高。表6.5示出了以动态随机存储器为代表的集成电路发展与硅片直径的关系。 从表中可以看出，集成度的提高部分地依靠特征尺寸的缩小，部分地依靠芯片尺寸的增大。 动态随机存储器（DRAM）每更新一代，芯片面积就增大50%左右，如果硅片的直径不变，那么硅片所得的芯片数就要少1/3。 另外，硅片上作出的芯片愈多，其成本也就随之下降。 据测算，对同一种电路，如使用直硅径150mm硅片的成本为