晶片减薄、CMP工艺及设备.pdf

减薄/抛光(CMP)工艺培训 查强 1 1 工艺目的 2 工艺原理 3 减薄原理及设备 4 研磨、抛光原理及设备 5 工艺过程检测及常见问题 2 减薄/抛光(CMP)工艺目的 工艺目的: ? 通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯 片散热效果。 ? 由于减薄后的衬底背面存在表面损伤层，其残余应 力会导致减薄后的外延片弯曲且容易在后续工序中 碎裂，从而影响成品率。因此在减薄后应对衬底背 面进行抛光。 ? 减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。 3 工艺原理 ? 通过机械加工和化学反应的方法对样品进行一系列减薄→研磨→ 抛光 工艺,使样品表面到达所需要的厚度/平整度/粗糙度. ? 4 可加工对象: ? Si / GaAs / Sapphire / InP 等相关材料 ? 尺寸：1×1cm2 － 6’’ ? 常规工艺: 减薄/抛光到80-100um ? 粗糙度: 5-20nm ? 平整度: ±3um 5 工艺流程图 原始厚度 样品清洗 上蜡粘片 压片 测量 抛光 研磨 减薄 二次厚度测量 融蜡取片 样品清洗 6 测厚仪 7 加热台 8 双头晶片上蜡机 ? 原理：气动加压 ? 压力:0-0.6MPa ? 水温:5-40℃ ? 时间: 0-1800sec ? 行程： 60mm 9 设备简介 ? 制造商:AM Technology Co.Ltd ? HRG-150 半自动晶片减薄机 ? AL-380F 高精度单面研磨机 ? AP-380F 高精度单面抛光机 10 HRG-150 减薄机 11 HRG-150 结构示意图 砂轮驱动系统 PLC 工件盘驱动系统 进给系统 控制面板 自动修整系统 电源/气源/ 冷却水离心分离机 冷却水过滤系统 12 HRG-150减薄机技术指标 ?1.最大工件尺寸：6” ?2.分辨率：0.0001mm ?3.精度：±0.002mm ?4.重复精度：±0.001mm ?5.行程：70mm ?6.进给率：0.1um－1000um/sec ?7.砂轮转速:0-2400rpm ?8.托盘转速:0-410rpm 13 减薄机砂轮、托盘图示 ? 14 减薄机操作控制面板