欧司朗内部资料选编.ppt

Basics of semiconductors Delivered by DCC EUR/APR T8 Michael Chen;SEMICONDUCTOR;按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为三类：; 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类：; 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：;on-state losses;1.2 Diode;（1）PN结的正向导通状态 电导调制效应：当PN结流过的正向电流较小时，二极管的电阻主要是作为基片的低参杂N区的欧姆电阻，其阻值较高且为常值，因而管压降随正向电流的上升而增加。当PN结流过的正向电流较大时，其电阻率明显下降，即电导率大大增大，这就是电导调制效应。 电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态。;（2）PN结的反向截止状态 PN结加反压时，处于高阻状态，只有很小的漂移电流。 （3）PN结的反向击穿 当???压大到一定程度时，反向电流会突然增加——反向击穿。有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式，可能导致热击穿。 ;（4）PN结的电容效应： PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。 结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD 。; （5）造成电力二极管和信息电子电路中的普通二极管区别的一些因素：;②引线和焊接电阻的压降等都有明显的影响。 ③承受的电流变化率di/dt较大，因而其引线和器件自身的电感效应也会有较大影响。;电力二极管的基本特性;2.动态特性 Switching (dynamic) characteristics;关断过程： 须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态。 在关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。;关断过程;电力二极管的基本特性;正向恢复时间;电力二极管的主要参数;1. 正向平均电流IF(AV) Average rectified forward current I F(AV) 额定电流——在指定的管壳温度（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值;2. 正向压降UF(Forward voltage UF) 指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降;4. 最高工作结温TJM Maximum junction temperature TJM 最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。 TJM通常在125~175?C范围之内。;6. 浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。;电力二极管的主要类型;1. 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中 其反向恢复时间较长，一般在5?s以上，这在开关频率不高时并不重要。 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。;2. 快恢复二极管 （Fast Recovery Diode——FRD） 恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（5?s以下）的二极管，也简称快速二极管 ;3. 肖特基二极管 Schottky Barrier Diode——SBD 1）反向恢复时间很短（10~40ns） 2）正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲 3）在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管 4）其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高 ;1.3 半控器件—晶闸管 (Thyristor);二、工作原理分析;二、工作原理分析;三、导通和关断的条件;注：1）只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段； 2）光触发是专门设计的，可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中 ;（1）UA=0(去掉阳极电压） （2） UA0(阳极加反压） （3）使流过晶闸管的电流小于维持电流 ;1.3.2 晶闸管的基本特性;晶闸管的伏安特性; IG=0时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维持电流。;2) 反向特性;2. 动态特性(Swi