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第16章MOS结构基础
第十六章 MOS结构基础;补充基本概念;16.1理想MOS结构的定义;;16.2静电特性-定性描述;;（2）电荷块图;2外加偏置的影响;N型衬底;2。外加偏置的影响;2。外加偏置的影响;特殊偏置区域;;;图16.6 p型器件在平带、积累、耗尽、反
型情况下的能带图和对应的电荷块图;特殊偏置区域;结 论;16.3 静电特性-定量公式; ?F的正负和大小与Si衬底的导电类型和掺杂浓度有关;结 论;16.3 静电特性-定量公式; ?= ?（0）
E=0 （x0)
?=0 (x0);;MOS电容的半导体中电荷密度和电势的精确解;半导体中耗尽层宽度;耗尽层宽度和表面势的关系;栅电压关系;目标：确定SiO2中的电势差Δ?ox;目标：利用边界条件把SiO2中的电场和半导体中的电场联系起来;;图16.10栅电压与半
导体表面势的关系;16.4 电容-电压特性;（ a) Keithley高、低频测量系统;积累；
直流O-S界面积累多子，多子在10-10-10-13秒的时间??达到平衡。加交变信号，积累电荷的改变量ΔQ，只在界面附近变化，因此MOS电容相当于平板电容器;耗尽： 栅上有-Q电荷，半导体中有+Q的受主杂质ND+，ND+的出现是由于多子被排斥，因此器件工作与多子有关，仍能在10-10-10-13秒内达到平衡，交流信号作用下，耗尽层宽度在直流值附近呈准静态涨落，所以MOS电容看作两个平板电容器的串联。
;在耗尽区W随VG的增大而增大，所以C随VG的增大而减小
VG从0→VT，W从0 →WT，Cdep从CO →CT;反型
直流偏置使W=WT，O-S界面堆积很多少子，少子的产生过程很慢。在交流信号作用下
平衡栅电荷的变化→少子电荷的变化，
→ 耗尽层宽度的变化，
究竟哪一种电荷起主要作用呢？
低频??0，
少子的产生和消除跟得上交流信号的变化，此时如同在积累情况 ; 高频?→?：
少子的变化跟不上交流信号的变化，此时少子的数目固定在直流时的值，主要依靠耗尽层宽度的变化来平衡栅电荷的变化，类似于耗尽偏置; ;2、计算和测试;;;;3实际测量结果;深耗尽;深耗尽：MOS处于反型偏置时，非平衡的半导体表面缺少少数载流子，耗尽区宽度大于平衡值WT，这种情况称为深耗尽。
完全深耗尽： MOS处于反型偏置时，非平衡的半导体表面完全缺乏少数载流子的一种极端深耗尽情况，即完全深耗尽。;作业16.7;（d);（h);;作业16.10;;讲作业16.14;作业16.14;作业16.14;;;课堂讲解16-12,
本章作业16-1，4，8，9, 13, 15
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