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石墨烯新进展CVD
Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 39, 10, 2010
上图CVD方法中，Ni催化剂位于Si/SiO2衬底的表面，焦耳加热至900-1000度，然后通入CH4，在催化剂的作用下生成了石墨烯;J. Phys. D Appl. Phys. 43 (2010) 455402
这里用的是Co催化剂;Nano Lett. 9, 1 (2009)
a图为生长石墨烯之前的光学图像，b图为生长石墨烯之后的光学图像，可以看到石墨烯覆盖在了原来Ni催化剂的表面
上图也给出了基片的构造;其他一些制备方法;其他一些制备方法;其他一些制备方法;生长机理;PhysRevB.80.235422
该模型认为在生长过程中，衬底中的Ru被蚀刻掉了，文中还结合LEEM图像进行了验证;New Journal of Physics 11 (2009) 063046
本文研究了在Ru(001)和Ir(111)表面上生长石墨烯的影响因素;nature materials 7 406 2008
通过IV光谱的测量和模拟得到了石墨烯在Ru(001)表面的堆叠方式;PhysRevLett.104.186101
利用VASP计算研究了Ir/Ru/Cu表面上C-C对的稳定性，之所以要研究C-C对是因为??是石墨烯生长过程中成核的中心;PhysRevB.80.245411
实验中观察到的石墨烯在Pt(111)面生长的过程
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