第二章-缺陷物理与性能选编.ppt

第二章 缺陷物理与性能;缺陷的含义：晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域。 理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。;晶体;晶 体; 晶体缺陷的类型 ;缺陷分类;一 点缺陷;;离子晶体的点缺陷;离子晶体的点缺陷;点缺陷与材料性能;2）点缺陷可以引起晶体电导性能的变化;;以各种目的进行的金属材料热处理，利用了金属中原子的扩散。加工后的金属进行退火，是加工导致产生大量位错，由于原子扩散引起攀移、正负位错相互抵消的过程；为时效硬化进行热处理，通过扩散在母晶体中析出过饱和固溶状态的固溶原子等，都是点缺陷空位扩散的结果 ;无色透明晶体 ;含有点缺陷的晶体，其内能比理想晶体的内能大，这种由缺陷引起的在定容比热容基础上增加的附加比热容称为比热容的“反常”。;6）对金属强度的影响;淬火引起的点缺陷变化;辐照引起的点缺陷变化;线缺陷;位错的运动 ;;位错——刃位错示意图;位错——刃位错;(a) 螺位错 (b) 位错线周围原子螺型排列 螺位错及其原子结构模型 ;螺型位错的形成;刃位错的运动方式——滑移;;螺位错的运动方式——滑移;刃位错的运动;位错的运动方式——攀移;刃位错攀移示意图;位错的弹性性质 ——位错的应力场与应变能 理论基础：连续弹性介质模型 假设：1.完全服从虎克定律，即不存在塑性变形； 　　　2. 各向同性；3. 连续介质，不存在结构间隙。 位错的应力场: 刃位错上面的原子处于压应力状态，为压应力场，刃位错下面的原子处于张应力状态，为张应力场。 围绕一个螺位错的晶体圆柱体区域也有应力场存在。;位错与物理性能;晶体受到的应力超过弹性限度后，将产生永久形变，即范性形变。 范性形变——原子面的滑移 比如在立方晶格中具有最重要意义的三种晶面为（100）、（110）、（111）；具有最重要意义的三种晶向为[100]、[110]、[111] 范性形变可以通过位错的运动来实现 ;位错与物理性能——位错对金属强度的影响;因为位错的周围有应力场，从而杂质原子会聚集到位错的近邻，使晶体的性质发生改变位错对杂质原子有聚集作用。 在半导体材料中，由于杂质向位错周围的聚集，就可能形成复杂的电荷中心，从而影响半导体的电学、光学以及其它性质。 ;由于位错和杂质原子的相互作用，位错的存在影响着杂质在晶格中的扩散过程。 ——位错与晶体生长 晶体生长的前提——晶核 螺型位错台阶具有凝聚核的作用——产生晶核;内耗的定义：振动着的固体,即使与外界完全隔离,其机械振动也会逐渐衰减下来,这种使机械能量耗散变为热能的现象,叫做内耗。 即固体在振动过程中由于内部的原因而引起的能量消耗,在英文文献中通用“internal friction”表示. 内耗是一个对结构高度灵敏的量,对内耗的研究不但可以推知固体中的结构和结构缺陷的情况,也可以得到固体结构变化及原子扩散的知识.;要点： 位错内耗强烈地依赖于冷加工的程度；若内耗对冷加工敏感，就可以肯定这种内耗与位错有关。 ;面缺陷;面缺陷;面缺陷——晶界;面缺陷——小角晶界;当相邻晶粒的位相差大于10°-15°时，晶粒间的界面称为大角晶界。一般的大角晶界约为几个原子间距的薄层，层中的原子排列较疏松杂乱，结构比较复杂。但是并非所有大角晶界都具有松散紊乱的原子组态。当相邻两个晶粒具有某些特定的位向关系时，晶界上可以有较多的原子与两个晶粒的点阵结点都吻合的相当好。;面缺陷——大角晶界（孪晶界形成与分类）;面缺陷——大角晶界（堆垛层错）;面缺陷——相界