激光加热退火处理对NiMn基磁性薄膜交换偏置场的影响.pdfVIP

潘 旋 等 激光加热退火处理对 基磁性薄膜交换偏置场的影响 　 : NiMn 1 0 1 05 文章编号: ( ) 1001-9 73 1 2014 10-10105-04 激光加热退火处理对 基磁性薄膜交换偏置场的影响 ? NiMn , 潘 旋 1 ,周广宏 1 2 ,蒋素琴2 ,朱雨富2 西南科　技大学 材料科学与工程学院 四川 绵阳 (1 . , 62 1010; 淮阴工学院 江苏省介入医疗器械研究重点实验室 江苏 淮安 2. , 223003) 摘 要: 通 过 激 光 加 热 对 ( )/ 近年来 快速退火处理引起了科研人员的注意 快 　 　 Ni8 1 Fe1 9 1 5 nm , , ( )磁性双层膜进行快速退火处理,系统 速退 火 处 理 的 优 点 是 加 热 速 度 快 且 保 温 时 间 短 Ni4 5 Mn5 5 x nm 。 研究了激 光 辐 照 参 数 对 交 换 偏 置 场 (H )大 小 的 影 [1 6] 等[1 7]研 究 了 快 速 ex M.Rickart ,S.Groudeva-Zotova 响。结果表明,激光的能量密度强烈影响双层膜交换 退火处理 对 基 磁 性 薄 膜 性 能 的 影 响 研 究 发 NiMn 。 偏置效应,并存在一个能量密度的阈值(约为 / 现 在快速退火处理过程中 当温度超过某一界限时 1 50 mJ , , , 2 ),此时磁性双层膜能够产生较明显的交换偏置现 即使不施加外磁场 退火后也可以产生较强的交换偏 cm , 象。磁性双层膜的 H 随