第六章热电效应(学生版)选编.pptVIP

第六章热 电 效 应; ;热 电 效 应;第1节塞贝克效应 1821年德国物理学家塞贝克(T．J．Seeback)发现：当两种不同金属导线组成一闭合回路时，若在两接头端维持一温差，回路中就有电流和电动势产生，后来称此为塞贝克效应。其中产生的电动势称为温差电动势或塞贝克电动势，上述回路称为热电偶或温差电池。　　;如图1-1(a)所示，在两种金属的二接头处分别保持温度 回路中就会产生温差电动势；如图1-1(b)，将金属导线1或2从中断开，接入电位差计就可测得这个电动势ξ12;选用不同材料构成温差电偶．会有不同的温差电动势率。对于两种确定的材料，温差电动势与温差成正比，即 (1-1) 该式只在一定温度范围内成立。线性关系很难在一个大的温度区间内保持。温差电动势的一般表达式为 （1-2) 其中为另一个系数。两种金属构成的回路有塞贝克效应，两种半导体构成回路同样有温差电动势产生，而且效应更为显著。为了说明塞贝克效应产生的机理，先了解接触电位差 的概念。; 1.逸出功与接触电位差 在金属中的自由电子犹如处在一个势阱中，要将自由电子拉出金属之外必须对它作功。使一个自由电子逸出金属表面所需的功叫逸出功(或称功函数)。如果设电子在金属之外的电位能为零，则在金属内电位能为负。根据静电学知识，如果金属之外电位为零，则金属内的电位为十V，金属内外极薄的表层就存在电位差V。因此，逸出功可看作外力使电子克服这个电位差V所作的功，其数值等于自由电子由界面以内到界面以外电位能的增加，即逸出功 （1-3） e为电子电荷，V称为逸出电位。由于电子电量是恒定的，通常某金属的逸出功可用逸出电位来表示。;不同金属有不同的逸出功或逸出电位．逸出功不同,实质上是金属中自由电子的能量不同，能量大者，逸出金属表面所需的逸出功或逸出电位就小；反之，自由电子能量较小，所需逸出功就大。逸出功的大小反映了金属中自由电子能量的大小，大多数纯金属的逸出电位在3～4.5V之间，而铂的选出电位则超过5V。金属电子的逸出功在许多物理问题中占有重要地位，如光电子发射、热电子发射、场致电子发射、温差现象等。下面看两种逸出功不同的金属接触时所发生的现象。;????接触电位差是由于两种金属接触时，双方自由电子相互扩散的微观过程达到平衡所引起的。扩散的宏观趋势是自由电子由逸出电位小的金属到选出电位大的金属；由自由电子密度大的金属到自由电子密度小的金属。 参照图1-2，设有温度相同，逸出功不同的两种金属1和2，其逸出电位分别为V1和V2。且V1＜ V2。 ;;回到图1-1(c)，如果两金属接触点的温度， 则两接头的电位差大小相同，方向相反，整个回路的总电动势为零。若 ， 因为材料的逸出功或逸出电位与温度有关， ， 回路的总接触电位差为 。 当两接头温度不一样时．还有一点值得注意，这时每种金属的两端都处于不同温度，金属上存在温度梯度，这种温度梯度在造成热流的同时，也将造成自由电子的流动，而流动差会引起一种电位差，即 ——温差电位差。;2.温差电位差 参照图1-3（a），对于金属1的高温端T1，有较多的高能电子，而冷端T2有较多的低能电子。高能电子将向冷端扩散，低能电子则向高温端扩散。然而扩散速率一般是电子能量的函数，高温端电子有较大的扩散速率，因而将形成高温端到低温端的净电子流。此电子流使电子在低温端T2堆积带负电，高温端T1因缺少电子带正电，产生一个阻止电子进一步流动的温差电场，当这电场对电子的电场力Fe等于电子的热扩散力Fτ时，金属1的T1、T2两端建立起稳定的温差电位差V1（T1、T2）。 ;类似地在金属2的T1、T2两瑞也建立起稳定的温差电位差V2（T1、T2），对于整个回路来说，金属1、2上的温差电位差反向；但由于材料不同，纵使温差相同，二者也不会互相抵消。由图1-3(b)可见，对于热电偶，回路的总温差电动势是四个电位差的代数和 (1-5) 前两项是两接头的接触电位差的差，后两项是两种金属上的温差电位差的差。;3．塞贝克效应的应用 ;(1) 温