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电子技术与数字电路;第一章半导体器件 ;;化学成分纯净、具有晶体结构的半导体称为本征半导体;在获得一定能量(温度增高、受光照等)后，价电子即可摆脱原子核的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下空位，称为空穴。 这一现象称为本征激发，也称热激发。;1.1.2 杂质半导体;;二、杂质半导体的导电作用;;;3.1.5 二极管的伏安特性;二、二极管的伏安特性;反向击穿类型：;1.2.1 二极管的结构和分类;按结构分：点接触型、面接触型和平面型;1.2.2 二极管的伏安特性; 图中UBR称为反向击穿电压，当外加反向电压低于UBR时，二极管处于反向截止区，反向电流几乎为零，但温度上升，反向电流会有增长。当外加反向电压超过UBR后，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为反向击穿。普通二极管反向击穿电压一般在几十伏以上。 普通二极管被击穿后，由于反向电流很大，一般会造成“热击穿”，不能恢复原来性能，也就是失效了。 二极管的特性对温度很敏感，温度升高，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。其规律是：在室温附近，在同一电流下，温度每升高1℃，正向电压减小2～2.5mV；温度每升高10℃，反向电流增大约1倍。 二极管的应用范围很广，主要都是利用它的单向导电性，可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中用作开关元件等。;1.2.3 二极管的主要参数;1.2.5 稳压二极管;1 稳压二极管主要参数 ;(3)动态电阻rVS rVS是稳压管工作在稳压区时，两端电压变化量与电流变化量之比，即rVS=ΔU/ΔI。rVS越小，则稳压性能越好。同一稳压管，一般工作电流越大时，rVS值越小。通常手册上给出的rVS值是在规定的稳定电流之下测得的。;1.3 晶体管;2 晶体管的三种连接方式;3 晶体管的电流放大作用 ;(4)电流分配 ;1.3.2 晶体管的特性曲线;2 输出特性曲线;(3) 输入特性;1.3.3 晶体管的主要参数;2 交流参数;（2）特征频率fT;（3）反向击穿电压 ; 由最大集电极功率损耗PCM、ICM和击穿电压U(BR)CEO，在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过流区和击穿区。输出特性曲线上的过损耗区、过流区、击穿区和安全工作区见下图 ;1.4 场效应晶体管;1.4.1 场效应晶体管的分类;场效应晶体管的具体分类：;3.3 CMOS门电路3.3.1MOS管的开关特性;以N沟道增强型为例：;当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且足够大至VGS VGS (th), D-S间形成导电沟道（N型层）;二、MOS管输入特性和输出特性;(1) N 沟道 ;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;（2）工作原理;（3）饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应晶体管，当UGS =0时所对应的漏极电流。 ;;1 场效应晶体管是一种电压控制器件