金属氧化物半导体场效电晶体.doc

金屬氧化物半導體場效電晶體 金屬氧化物半導體場效電晶體，簡稱金氧半場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在 HYPERLINK /zh-tw/%E6%A8%A1%E6%8B%9F%E7%94%B5%E8%B7%AF \o 類比電路 類比電路與 HYPERLINK /zh-tw/%E6%95%B0%E5%AD%97%E7%94%B5%E8%B7%AF \o 數位電路 數位電路的 HYPERLINK /zh-tw/%E5%A0%B4%E6%95%88%E9%9B%BB%E6%99%B6%E9%AB%94 \o 場效電晶體 場效電晶體（field-effect transistor）。MOSFET依照其「通道」的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。 從目前的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET裡代表「metal」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期MOSFET的閘極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術的進步，現代的MOSFET閘極早已用 HYPERLINK /zh-tw/%E5%A4%9A%E6%99%B6%E7%A1%85 \o 多晶矽 多晶矽取代了金屬。 MOSFET在概念上屬於「絕緣閘極場效電晶體」（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的閘極絕緣層，有可能是其他物質，而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。 MOSFET裡的氧化層位於其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百 HYPERLINK /zh-tw/%E5%9F%83%E6%A0%BC%E6%96%AF%E7%89%B9%E6%9C%97_(%E5%8D%95%E4%BD%8D) \o 埃格斯特朗 (單位) 埃（?）不等，通常材料是 HYPERLINK /zh-tw/%E4%BA%8C%E6%B0%A7%E5%8C%96%E7%9F%BD \o 二氧化矽 二氧化矽（silicon dioxide, SiO2），不過有些新的進階製程已經可以使用如 HYPERLINK /w/index.php?title=%E6%B0%AE%E6%B0%A7%E5%8C%96%E7%9F%BDaction=editredlink=1 \o 氮氧化矽 （頁面未存在） 氮氧化矽（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。 今日 HYPERLINK /zh-tw/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%99%A8%E4%BB%B6 \o 半導體器件 半導體元件的材料通常以 HYPERLINK /zh-tw/%E7%9F%BD \o 矽 矽（silicon）為首選，但是也有些 HYPERLINK /zh-tw/%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94 \o 半導體 半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如 HYPERLINK /zh-tw/%E5%9B%BD%E9%99%85%E5%95%86%E4%B8%9A%E6%9C%BA%E5%99%A8%E5%85%AC%E5%8F%B8 \o 國際商業機器公司 IBM使用矽與 HYPERLINK /zh-tw/%E9%8D%BA \o 鍺 鍺（germanium）的混合物所發展的 HYPERLINK /w/index.php?title=%E7%9F%BD%E9%8D%BA%E8%A3%BD%E7%A8%8Baction=editredlink=1 \o 矽鍺製程 （頁面未存在） 矽鍺製程（silicon-germanium process, SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如 HYPERLINK /zh-tw/%E7%A0%B7%E5%8C%96%E9%8E%B5 \o 砷化鎵 砷化鎵（gallium arsenide, GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造MOSFET元件。 當一個夠大的電位差施於MOSFET的閘極與源極（source）之間時，電場會在氧化層下方的 HYPERLINK /zh-tw