电子束蒸发制备！#$高！薄膜的结构特性！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 )% ( #’ ( ， ， ， FGB 1)% ;G 1 ( CHIHJK #’ （ ） !7%#*A#’A)% ( A#$$!7’ C9=C D.,E9C ,E;E9C !#’ 9L-4 1 DLMJ 1 ,GN 1 电子束蒸发制备 高 薄膜的结构特性! !#$ ! ） ） ） ） ! ! # # 阎志军 王印月 徐 闰 蒋最敏 !）（兰州大学物理系，兰州 $% ） # ）（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 #’%% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #% ( !) #% !# * 使用高真空电子束蒸发在 型 （ ）衬底上制备了高 薄膜 俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配 + ,- ! ! ./0 1 # 比；射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的，高温退火后发生部分晶化；原子力显微镜和扫描电子显微镜检 2 测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面，表明薄膜具有优良的热稳定性；椭偏测得在3 45 处薄膜折 射率为 ；电容 电压测试得到的薄膜介电常数为 这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作 # 6* 7 !* 1 为栅介质的./0 薄膜的方法1 # 关键词：高 薄膜， ，电子束蒸发 ! ./0 # ： ， ， %’’ $$)) 3()) (!!)8 ［］ ［］ ［］ # % ’ 束辅助沉积 、化学汽相沉积 、原子层沉积 和电 ［］ ) 子束蒸发 由于栅介质不仅对绝