二维 C 3 N 4 为 的合成及其作为 Hg 2+ 传感器的应用.pdfVIP

二维C N 的合成及其作为Hg2+传感器的应用 3 4 曹瀚尹 北京大学 （100871） 摘要 本研究报道了一种以HCONH 为原料制备二维C N 的方法，通过C N 点溶液的自然蒸发和自 2 3 4 3 4 组装过程形成不同尺寸的C N 。同时研究了其修饰的玻碳电极作为Hg2+传感器的应用，对Hg2+ 的检 3 4 出限达到9.1 10-11mol·L-1，并且讨论了存在干扰金属离子的情况。 关键词 纳米材料；C N 合成；电化学传感器；Hg2+ 离子 3 4 1 引 言 C N 最初因为高硬度而为人们所研究。后经理论计算发现，C N 能以5 种晶相存在， 3 4 3 4 其中相对稳定的g- C N 类似石墨结构，因此受到关注。近来也发展了一些二维C N 的合成 3 4 3 4 方法，但还没有对二维C N 在电化学方面的应用的报道。本文尝试用C N 点 （CNDs ），以 3 4 3 4 自下而上组装的方法合成二维C N ，并研究了二维C N 修饰玻碳电极作为Hg2+传感器的应 3 4 3 4 用。 2 C N 的合成 3 4 CNDs 由HCONH2 通过微波辅助方法合成。CNDs 的水溶液在45 ℃下蒸发浓缩，量子 点自组装而在固体表面形成二维或三维的C N 类石墨结构。由于量子点在水溶液中存在相 3 4 互作用力而聚集，影响自组装过程。因此不同浓度的CNDs 溶液可以制备不同形态的C N 。 3 4 -1 -1 -5 -1 用电子透射显微镜分别观察1mg·ml 、0.01mg·ml 、2 10 mg·ml CNDs 所制备的C N 结 3 4 构分别如图1a、1b、1c，可以判断CNDs 溶液浓度越低，C N 层结构的厚度和尺寸也越小。 3 4 图1d 是对1a 的电子衍射图样，表明该C N 结构的无定型性。而将CNDs 溶液经过离心