S3C2410主要功能部件及参数设置(完全).ppt

第5章 S3C2410主要功能部件及参数设置 本章重点 NandFlash控制器 中断控制器 系统定时器 异步串行口 IIC总线接口 AD转换控制器 本章内容 5.1 NandFlash控制器 5.2 中断控制器 5.3 系统定时器 5.4 异步串行口 5.5 IIC总线接口 5.6 AD转换控制器 5.1 NandFlash控制器 5.1.1 NOR Flash和NAND Flash比较 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR Flash指线性存储器，通过线性、连续的地址进行寻址;NAND Flash指非线性存储器，通过非线性、不连续的地址进行寻址。 （1）应用 大多数情况下用NOR存储少量代码，而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR的特点是芯片内执行，应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。 （2）读写速度 NAND写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。NOR的传输效率很高,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR的读速度比NAND稍快一些，NAND的写入速度比NOR快很多. 5.1 NandFlash控制器 （3）接口性质 NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，与硬盘管理有些类似。 （4）容量与成本 NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND Flash只是用在8～128MB的产品当中。NAND Flash比NOR Flash廉价。 5.1 NandFlash控制器 5.1.2 S3C2410 NAND Flash控制器 NOR flash存储器的价格比较昂贵,而 SDRAM和NAND flash 存储器的价格相对比较合适。因而嵌入式开发者希望从NANDflash启动和引导系统，而在SDRAM上执行主程序代码的想法。S3C2410实现了从NOR Flash及NAND Flash 上执行引导程序。为了支持NAND Flash 的系统引导，S3C2410具有一个内部SDRAM缓冲器。当系统启动时，引导代码需要将NAND flash中程序内容拷贝到SDRAM中，然后系统自动执行这些载入的引导代码。从NAND Flash启动要通过引脚OM[1：0]进行选择，当选择OM[1：0]=00时，处理器通过NAND Flash启动；OM[1：0]=01或10时，处理器通过NOR Flash启动。图5-1所示是S3C2410 NAND Flash控制器的方块电路图。 5.1 NandFlash控制器 NAND Flash启动过程 S3C2410支持从NAND Flash引导系统，这是通过内置的SRAM及自动引导控制逻辑实现的，在系统加电时，自动引导控制逻辑自动把NASRND flash的最前面的4k内容会被自动地复制到内部SRAM中, 使用这4kb代码来把更多的代码从NAND Flash中读到sdram中去，然后执行SRAM中的指令，这4kb的程序一般实现CPU、GPIO、Memory、Clock、Watchdog、Uart等的初始化，然后把4kb后面的程序复制到SDRAM，然后跳转到SDRAM入口实现系统的引导。 5.1 NandFlash控制器 自动引导过程 （1）复位完成 （2）NAND Flash的前4kb被拷到内部SRAM （3）SRAM被映射到GCS0(BANK0) （4）CPU从内部SRAM开始执行程序 NAND Flash操作过程 NAND Flash的操作通过NFCONF、NFCMD、NFADDR、NFDATA、NFSTAT和NFECC这六个寄存器来完成。 具体操作步骤如下： （1）配制NAND Flash控制寄存器NFCONF （2）写 NAND Flash命令到NFCMD寄存器 （3）写NAND Flash地址到NFADDR寄存器 （4）通过NFSTAT寄存器检查NAND Flash状态实现读/写操作。 5.1 NandFlash控制器 5.1.3 NAND Flash 存储器接口 图5-2是NAND Ｆlash存储器接口示意图。 5.1 NandFlash控制器 图5-２中，NAND Flash的管脚配置如下： D[7:0]:数据/命令/地址/的输入/输出口 (与数据总线共享） CLE:命令锁存使能 (输出) ALE:地址锁存使能（输出） nFCE:NAND Flash 片选使能（输出） nFRE: