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硅纳米孔柱阵列湿敏性能研究

第24卷 第5期 传 感 技 术 学 报 Vo1.24 No.5 2011年 5月 CHINESEJOURNALOFSENSORSAND ACTUATORS Mav2011 Humidity.SensingPropertiesofNanostructuredSiC/SiliconNanoporousPillarArray WANGHaiyan ,CHENHongyan,HUQinffei,MENGXiaobo,ttANChangbao,LIXinjian ,1.DepartmentofPhysicsandLaboratoryofMaterialsPhysics,ZhengzhouUniversity,Zhengzhou450052,China.1 2.DepartmentofTechnologicalPhysics,ZhengzhouUniversityofLightIndustry,Zhengzhou450002,China , Abstract:Utilizingsiliconnanoporouspillararray(Si—NPA)assubstrates,twonanocompositesystems,SiC nanoparticle/Si-NPA(nc-SiC/Si—NPA)andSiCnanowire/Si—NPA(nW—SiC/Si-NPA)werepreparedbyachemical vapordepositionmethod.Thesilrfacemorphologies,chemicalcompositionsand room—temperaturehumidity—sensing propertiesofthetwosystemswerecharacterized.Itwasdisclosedthatthecapacitanceresponseofboth,一SiC/Si— NPAandrtW—SiC/Si—NPAwerehighlysensitivetovapor.Withtherelativehumidity(RH)changingfrom 11% to 95% andatatestingfrequencyof100Hz.acapacitanceincrementof750% fornc-SiC/Si-NPA and1050% ofr几 一 SiC/Si-NPA wasachieved,andthecorrespondingresponse/recoverytimesweredeterminedtobe100/150Sand10/ 10S,respectively.Thehigh humidity—sensitivityofthetwosystemswasattributed totheenlargementofthesensing areascausedbythepresentationoflargequantitiesofhe-SiC andnw-SiC,whiletheshortresponse~recoverytimes wereduetotheformationofeffectivevaportransportationpathsprovidedbythearraystructureofSi-NPA. Keywords:humiditysensor;SiC/siliconnanoporouspillararray;chemicalvapordeposition EEACC:7230L doi:10.3969/j.issn.1004-1699.2011.05.003 纳米碳化硅/硅纳米孑L柱阵列湿敏性能研究术 王海燕 ,陈红彦 ,胡青飞 ,孟晓波 ,韩昌报 ,李新建 ,1.郑州大学物理工程学院,材料物理实验室,郑州 450052;\ \2.郑州轻工业学院技术物理系,郑州450002 / 摘 要 :以硅纳米孔阵列(Si—NPA)为衬底,采用化学气相沉积法分别制备了SiC纳米颗粒/si—NPA(—SiC/Si—NPA)和SiC 纳米线/Si-NPA(nW—SiC/Si-NPA)复合体系,并对其

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