半导体器件物理II—场效应器件物理2.pdfVIP

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半导体物理与器件 西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY 第10章 MOSFET基础 10.3MOSFET工作原理 2015-6-15 10.3 MOSFET原理 本节内容  MOSFET基本结构  电流电压关系——定性  电流电压关系——定量 跨导和沟道电导 衬底偏置效应 2015-6-15 10.3MOSFET原理 MOSFET结构  MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor  最常见的是:高掺杂多晶硅-SiO -Si FET 2  MOSFET :四端器件,Gate、Source、Drain、Body  若VBS=0,则等效为三端器件  MOSFET简单看作:中间MOS 电容和两个背靠背PN结构成 2015-6-15 10.3MOSFET原理 MOSFET结构  MOS 电容:外加VG, 氧化层下方半导体表面形成反型层,连接SD区, 强反型层MOSFET的导电沟道  VDS在沟道上产生电场,载流子从源漂移到漏,被漏极收集形成ID  重要参数:  沟道长度L :栅氧下方源漏之间半导体的长度.  沟道宽度W :与沟长垂直的水平方向的源漏区宽度  栅氧厚度tox 2015-6-15 10.3 MOSFET原理 MOSFET分类(1)  按照沟道载流子的导电类型分: n 沟道MOSFET :NMOS p沟道MOSFET :PMOS P衬,n型反型层,电子导电 N衬,p型反型层,空穴导电 2015-6-15 10.3 MOSFET原理 MOSFET分类(2)  0栅压是否存在反型沟道分:  n沟增强型MOSFET  n沟耗尽型MOSFET  零栅压时不存在反型沟道,  零栅压时已存在反型沟道,  VTN0,  VTN0  加栅压VGSVTN, 沟道开启  加栅压VGSVTN, 沟道关闭  问题:不进行专门的N型掺杂,能否形成耗尽型NMOS ? 2015-6-15 10.3 MOSFET原理 MOSFET分类(3)  p沟增强型MOSFET  p沟耗尽型MOSFET  零栅压时不存在反型沟道  零栅压时存在反型沟道  VTP0  VTP0  加栅压VGSVTP, 沟道开启  加栅压VGSVTP, 沟道关闭 2015-6-15 2015-6-15 10.3 MOSFET原理 MOSFET 分类(4)  四种MOS晶体管: N沟增强型;N沟耗尽型;P沟增强型;P沟耗尽型 10.3MOSFET原理 MOS

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