- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
半导体物理与器件
西安电子科技大学
XIDIDIAN UNIVERSITY
第10章 MOSFET基础
10.3MOSFET工作原理
2015-6-15
10.3 MOSFET原理 本节内容
MOSFET基本结构
电流电压关系——定性
电流电压关系——定量
跨导和沟道电导
衬底偏置效应
2015-6-15
10.3MOSFET原理 MOSFET结构
MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor
最常见的是:高掺杂多晶硅-SiO -Si FET
2
MOSFET :四端器件,Gate、Source、Drain、Body
若VBS=0,则等效为三端器件
MOSFET简单看作:中间MOS 电容和两个背靠背PN结构成
2015-6-15
10.3MOSFET原理 MOSFET结构
MOS 电容:外加VG, 氧化层下方半导体表面形成反型层,连接SD区,
强反型层MOSFET的导电沟道
VDS在沟道上产生电场,载流子从源漂移到漏,被漏极收集形成ID
重要参数:
沟道长度L :栅氧下方源漏之间半导体的长度.
沟道宽度W :与沟长垂直的水平方向的源漏区宽度
栅氧厚度tox
2015-6-15
10.3 MOSFET原理 MOSFET分类(1)
按照沟道载流子的导电类型分:
n 沟道MOSFET :NMOS p沟道MOSFET :PMOS
P衬,n型反型层,电子导电 N衬,p型反型层,空穴导电
2015-6-15
10.3 MOSFET原理 MOSFET分类(2)
0栅压是否存在反型沟道分:
n沟增强型MOSFET n沟耗尽型MOSFET
零栅压时不存在反型沟道, 零栅压时已存在反型沟道,
VTN0, VTN0
加栅压VGSVTN, 沟道开启 加栅压VGSVTN, 沟道关闭
问题:不进行专门的N型掺杂,能否形成耗尽型NMOS ?
2015-6-15
10.3 MOSFET原理 MOSFET分类(3)
p沟增强型MOSFET p沟耗尽型MOSFET
零栅压时不存在反型沟道 零栅压时存在反型沟道
VTP0 VTP0
加栅压VGSVTP, 沟道开启 加栅压VGSVTP, 沟道关闭
2015-6-15
2015-6-15
10.3 MOSFET原理 MOSFET 分类(4)
四种MOS晶体管: N沟增强型;N沟耗尽型;P沟增强型;P沟耗尽型
10.3MOSFET原理 MOS
文档评论(0)