半导体器件物理II—场效应器件物理7.pdfVIP

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2017-05-14 发布于浙江
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半导体器件物理II—场效应器件物理7.pdf

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半导体器件物理II 场效应器件物理西安电子科技大学 XIDIAN UNIVERSITY 10.金属氧化物半导体场效应晶体管基础 10.1双端MOS结构 2015-10-13 1 1.1 MOS电容本节内容  1.1.1 能带图  1.1.2 耗尽层厚度  1.1.3面电荷密度  1.1.4功函数差  1.1.5 平带电压  1.1.6 阈值电压 2015-10-13 XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS 电容双端MOS 结构 Al或高掺杂的多氧化层介电常数晶硅（poly-Si ） SiO2 氧化层厚度掺杂浓度N n型硅或p型硅  金属和半导体分别引出电极，形成双端MOS器件MOS电容  金属电极：MOSFET的栅电极，MOS结构所加电压也称为栅电压 2015-10-13 XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容实际MOS 结构：铝线- 氧化层-半导体  （M:约10000A O:250A S:约0.5~1mm） 2015-10-13 XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 MOS 电容和平行板电容  MOS结构 MOS电容  平行板电容：  上下两金属极板，中间为绝缘材料  单位面积电容: C`=  / d ox  外加电压V，给电容充电，电容器存储的单位面积电荷：Q`= C`V  氧化层两侧电场：E= V / d  MOS电容：具有存储电荷的能力，Q随V变化 2015-10-13 XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容预备知识：能带图导带底能级禁带中心能级费米能级价带顶能级  能带图：  描述静电偏置下材料的内部状态，分价带、导带、禁带  晶体不同(M.O.S)，能带结构不同，能带宽窄，禁带宽度大小不同  金属（价带、导带交叠：E ）、氧化物（E 大）、半导体（E 小） F g g  半导体掺杂类型不同、浓度不同，E 的相对位置不同 F  能带图绘制的是电子的能量，能级越高，电势能（电子的能量）越大。 2015-10-13 XIDIAN UNIVERSITY