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场效应器件物理
西安电子科技大学
XIDIDIAN UNIVERSITY
第10章 MOSFET基础
10.4 频率限制特性
2015-6-15 1
10.4 频率特性 本节内容
MOSFET的小信号等效电路
频率限制因素
截止频率的定义、推导和影响因素
2015-6-15 XIDIAN UNIVERSITY 2
10.4 频率特性 模型概述
为准确预测设计的电路性能，需利用电路仿真软件对电路仿真验证
仿真：
电路中元器件要用模型和模型参数来替代真正的器件
模型：反映器件特性，可采用数学表达式、等效电路等形式
常用模型：等效电路模型。
模型参数：描述等效电路中各元件值
2015-6-15 3
10.4 频率特性 MOSFET 物理模型：交流小信号参数
栅源电容 栅漏电容
栅源交叠电容 栅漏交叠电容
G-S：C ，C ，r ；
gs gsp s
G-D ：C ，C ，r ；
gd gdp d
Cgs,Cgd : 体现了栅和源、漏附近的
沟道电荷间的相互作用
Cgsp,Cgdp :交叠电容 源极串联电阻 漏极串联电阻
D-S：g ，I ＝g ×V`
m d m gs
跨导 漏-衬底pn结电容
Cds ：漏-衬底pn结电容
寄生参数
本征参数
4
2015-6-15
10.4 频率特性 完整的小信号等效电路
总的栅源电容 总的栅漏电容
rds ：沟道电阻，
沟道电导的倒数
共源n沟MOSFET小信号等效电路（VBS=0 ）
2015-6-15 5
10.4 频率特性 完整的小信号等效电路：VBS影响
共源n沟MOS
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