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场效应器件物理 第12章 MOSFET进阶 2015-6-15 12.1 非理想效应 本节内容 MOSFET亚阈特性 沟道长度调制效应 迁移率变化 速度饱和 弹道运输 2015-6-15 12.1 非理想效应 亚阈值电流: 定义 V V GS T  理想MOSFET ：ID=0 亚阈值电流 √  实际MOSFET ：存在亚阈值电流Idsub  亚阈区，VGS稍小于VT，  表面势：   2 fp s fp  半导体表面处于弱反型区  弱反型沟道，形成亚阈值电流IDsub  IDsub形成机制？ 2015-6-15 12.1 非理想效应 亚阈值电流: 形成机制 n沟道MOSFET 衬底0势能参考点  堆积状态：势垒很高→电子无 法跃过→无法形成表面电流  弱反型状态：势垒较低→电子 有一定几率越过势垒→形成亚阈 值电流  强反型状态：势垒极低→大量电 子越过势垒→形成沟道电流 2015-6-15 12.1 非理想效应 亚阈值电流: 电压特性  亚阈电流表达式:  ID与VGS有关，且随VGS指数增加， 当V 改变60mV ，I 改变一个数量级 GS D（sub)  若VDS4 （kT/e ），最后括号部分将近似等于1， IDsub近似与VDS无关  思考：随着VGS增加，曲线斜率变化原因？  思考：VDS为某一常数时，随着VGS增加， 器件先进入哪个工作区？ 半对数坐标中亚阈电 流与VGS之间呈现直线 2015-6-15 12.1 非理想效应 亚阈值电流: 亚阈值摆幅  亚阈值摆幅S （Subthreshold swing ）：漏电流减小一个数量级所需的栅压 变化量，S=dVGS/d(lgIDsub)  S也是半对数亚阈特性曲线斜率的倒数  S小好？大好？  S越小）VGS 的降低能快速关断器件  S是量化MOS管如何随栅压快速关断的参数  亚阈值摆幅S影响因素  S∝(C +C +C )/C ； C :界面陷阱电容 ox dep it ox it  减薄栅氧厚度（Cox增大）、降低衬底掺杂（Cdep减小）、减小表面陷阱密度 （C 减小） it 2015-6-15 12.1 非理想效应 亚阈值电流对器件的影响  开关特性变差：  由于存在亚阈电流lDsub ，VGS略低于VT 时关态电流Ioff不为0，  lDsub 变成关态电流的主要组成部分。  lDsub 的存在增大了待机状态的静态功耗。  V 不能很小，否则V =0时的I （l ）会增大，静态功耗增加 T GS off Dsub  减小I Dsub 影响的措施  增大CO