半导体器件物理II—场效应器件物理1.pdfVIP

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2017-05-14 发布于浙江
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半导体器件物理II—场效应器件物理1.pdf

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半导体物理与器件西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY 第10章 MOSFET基础 10.2 MOS电容的C-V特性 2015-6-15 10.2 C-V特性本节内容  理想MOS电容的CV特性  氧化层电荷对CV特性影响  界面态概念及对CV特性影响 2015-6-15 10.2 C-V特性什么是C-V 特性  器件电容定义: dQ C dV Cox Cs`  MOS电容C`=dQ`/dV  MOS电容C`=C 与C `的串联电阻越串越大，电容越串越小 ox s 10.2 C-V特性理想MOS 电容C-V 特性  P衬MOS电容的C-V特性测试曲线  测量电源：MOS外加栅压，在变化缓慢的直流电压上叠加一交流小信号电压。  直流电压：决定器件工作点，缓慢增加使MOS先后处于堆积、平带、耗尽、本征、反型几种状态  交流小信号电压：幅值比较小，不改变半导体的状态 10.2 C-V特性堆积状态  负栅压——多子堆积态  堆积层电荷跟随交流小信号栅压的变化，面电荷密度变化/dQ`/  直观：薄的堆积层相当于栅氧化层电容的下极板， C`=Cox  公式：面电荷密度Q` 随Φ 指数增加， s s 大的C` 串后可忽略。 ox s C (acc) C ox t ox 2015-6-15 10.2 C-V特性平带状态  VG=VFB，半导体表面能带无弯曲  C ox FB  kT  t  ox s ox t e eN ox a  堆积态往平带过渡的区间：  越串越小，总C` 降低，直到平带点 2015-6-15 10.2 C-V特性耗尽状态  小的正栅压——耗尽状态  耗尽层电荷随交流信号栅压的变化，电荷和X 变化，/dQ`/ ，dx