数字电子技术基础6讲课.ppt

第六章 半导体存储器 6.1 只读存储器（ROM） 6.2 随机存储器（RAM） 存储器的主要指标 （1）存储器的容量：存储器的容量=2n×m(bit) n：地址线总数， 2n 称为字线数。 m: 每一地址单元存储m位二值数，又称为位线数。8位为一字节(Byte)， 210=1024=1K, 220=1024K=1M, 230=1024M=1G 例：11根地址线，8根数据线（8位输出），容量为211×8=16Kb=2KB (2)存取时间 接收到寻址信号到读/写数据为止。 第六章 半导体存储器 6.1 只读存储器（ROM） 6.2 随机存储器（RAM） （2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。 PROM具有熔丝结构，它的编程方法称为熔丝编程。用户对PROM编程是逐字逐位进行的。首先通过字线和位线选择需要编程的存储单元，然后通过规定宽度和幅度的脉冲电流，将该存储管的熔丝熔断，这样就将该单元的内容改写了。 1.作函数运算表电路 试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 Y7=m12+m13+m14+m15 （1）写出各函数的标准与或表达式： 按A、B、C、D顺序排列变量，将Y1、Y2、Y4扩展成为四变量逻辑函数。 （2）选用16×4位ROM，画存储矩阵连线图： (3)画出4位二进制-GRY转换器的ROM阵列结构图,如下: EPROM举例——2764 第六章 半导体存储器 6.1 只读存储器（ROM） 6.2 随机存储器（RAM） 1. 存储矩阵 图中，1024个字排列成32×32的矩阵。 为了存取方便，给它们编上号。 32行编号为X0、X1、…、X31， 32列编号为Y0、Y1、…、Y31。 这样每一个存储单元都有了一个固定的编号，称为地址。 RAM芯片简介(6116) 小结 RAM可分为单极型和双极型：双极型工作速率高，但是集成度不如单极型的高，目前，由于工艺水平的不断提高，单极型RAM的速率已经可以和双极型RAM相比，而且单极型RAM具有功耗低的优点。这里只以单极型RAM为例进行分析 单极型RAM又可分为静态RAM(SRAM)与动态RAM(DRAM)：静态RAM是用MOS管触发器来存储代码，所用MOS管较多、集成度低、功耗也较大。SRAM速度非常快，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用。如CPU的一级缓存，二级缓存。静态RAM使用方便，不需要刷新。 动态RAM是用栅极分布电容保存信息，它的存储单元所需要的MOS管较少，因此集成度高、功耗也小。DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 用以决定访问 哪个字单元 由大量寄存器 构成的矩阵 读出及写入 数据的通道 用以决定芯 片是否工作 用以决定对 被选中的单元 是读还是写 容量为256×4 RAM的存储矩阵 存储单元 1024个存储单元排成 32行×32列的矩阵 每根行选择线选择一行 每根列选择线选择一个字列 Y1＝1，X2＝1，位于X2和Y1交叉处的字单元可以进行读出或写入操作，而其余任何字单元都不会被选中。 2. 地址的选择通过地址译码器来实现。地址译码器由行译码器和列译码器组成。行、列译码器的输出即为行、列选择线，由它们共同确定欲选择的地址单元。 0 0 1 00010 256×4 RAM存储矩阵中，256个字需要8位地址码A7～A0。其中高3位A7～A5用于列译码输入，低5位A4～A0用于行译码输入。A7～A0，Y1=1、X2=1，选中X2和Y1交叉的字单元。 * * 存储器——用以存储二进制信息的器件。 半导体存储器的分类： 根据使用功能的不同，半导体存储器可分为两大类： （1）随机存取存储器（RAM）也叫做读/写存储器。既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据易失，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 （2）只读存储器（ROM）其内容只能读出不能写入。 存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。 存储器的结构 存储器的工作原理 以一个22×4的存储器为例进行说明。它有二根地址线A1、A0，四根数据线D3~ D0。二根地址线有四种地址组合，假设对应输出数据如表。 存