第2章基本放大电路及其分析方法.ppt

第2章 基本放大电路及其分析方法  第2章 基本放大电路及其分析方法  第2章 基本放大电路及其分析方法  第2章 基本放大电路及其分析方法  2.2 分压偏置式放大器 2.3 其它组态放大器 hoeu′o= (1+hoeR′e+ 可得从集电极看进去的输出电阻r′o为 显然，发射极引入电阻Re后，从集电极看进去的输出电阻增大了。  从输出端向里看进去的输出电阻ro为 ro= Rc∥r′o  通常R′oRc，所以 ro≈Rc 本节介绍了分析放大电路的两种方法。在解决一个放大电路的具体问题时，这两种方法常常混合使用，这样可使分析更为简便。 2.2.3放大器的偏置电路 偏置电路是各种放大器的必不可少的组成部分。我们在进行电路设计时，设置的偏置电路必须满足两个要求：一是给放大管提供所需的静态工作点电压和电流；二是在环境温度、电源电压等因素变化时，静态工作点应当保持稳定。在诸多因素中尤其以环境温度的变化对静态工作点的影响最大。 一些放大器在常温下，其静态工作点若确定合适，则能正常工作，但是在高温或低温条件下则不能， 这是因为静态工作点随温度变化引起的。下面我们结合环境温度这个问题介绍几种常用的偏置电路。 1. 固定偏置电路 电路如图2.2.17所示。现通过分析温度变化对静态工作点的影响, 来说明偏置电路热稳定性的重要性。 我们用近似估算法可求得该电路提供的IBQ、ICQ和UCEQ： UCEQ=UCC-ICQRC 由上述各式可知， 当UCC和Rb一定时，ICQ与晶体管参数β以及UBE、ICBO有关。我们知道这三个参数均与温度有关。温度每升高10℃, ICBO约增加一倍，温度每升高10℃, UBE约降低2.5mV，随温度每升高1℃，β相对值增加（0.5~1.0）%。所以讨论偏置电路热稳定性实际上就是讨论这三个参数随温度变化而引起ICQ变化的特性。 例 2.2.4在上述固定偏置电路中， 假设晶体管为锗NPN管， 室温时β=50，UBE=0.25V，ICBO=1μA, 偏置电路的UCC=6 V，Rb=180kΩ，Rc=2kΩ。试计算温度由室温升高30℃时ICQ和UCEQ的变化情况。  解室温时由式（2.2.41）可求得 IBQ=32μA，ICQ=1.65mA, UCEQ=2.7V 当温度升高30℃后，β′=65, UBE=0.175V, I′CBO=8μA, 那么 I′BQ=32.4μA, I′CQ=2.6 mA, U′CEQ=0.73V 集电极静态电流变化的相对值为 由上例可以知道， 温度升高30℃后，ICQ将明显增大， 而UCEQ则明显减小。原本处于放大区中心的静态工作点如图2.2.18（a）所示，将沿直流负载线上升到靠近饱和区，如图2.2.18（b）所示。这时，加上基极输入正弦信号电流，当它变化到正半周期间，晶体三极管就会进入饱和区， 使得集电极电流iC和电压uCE的波形产生严重的失真。 因此， 为了保证放大器在很宽的温度范围内正常工作，就必须采用热稳定性高的偏置电路。  提高偏置电路热稳定性有许多措施，常采用分压式偏置电路和恒流源偏置电路。下面介绍这两种电路。  2. 分压式偏置电路 分压式偏置电路如图2.2.19所示。此电路既能提供静态电流，又能稳定静态工作点。  图中Rb1、Rb2的作用是将VCC进行分压，在晶体三极管基极上产生基极静态电压UBQ。Re为发射极电阻，发射极静态电流IEQ在其上产生静态电压UEQ，所以发射结上的静态电压UBEQ=UBQ-UEQ。  现在分析分压式偏置电路稳定静态工作点的过程。假设温度升高，ICQ或IEQ）随温度升高而增加，那么UEQ也相应增加。 如果Rb1和Rb2的电阻值较小，通过它们的电流远比IBQ大，则可认为UBQ恒定而与IBQ无关，根据UBEQ=UBQ-UEQ，则UBEQ必然减小，从而使IEQ、ICQ趋于减小，使IEQ、 ICQ基本稳定。这个自动调整过程可表示如下（“↑”表示增， “↓”表示减）：  T（温度）↑→ICQ(IEQ)↑→UEQ↑→UBE