7-半导体存储器OK!!!.pptVIP

DRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极间 电容 读出时，为破坏性读出，使用时需周期性刷新 必须配备“读出再生放大电路”进行刷新 DRAM一般采用“位结构”存储体： 每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址 二、SRAM的静态存储单元 双极型RAM的静态存储单元 六管CMOS静态存储单元 集成2kB×8位RAM6116 写入控制端 片选端 输出使能端 7.3.2 动态随机存储器(SRAM) * * 第七章 半导体存储器 学习要点： 介绍各种半导体存储器的工作原理和使用方法 只读存储器(ROM、PROM、EPROM和快闪存储器) 随机存储器（DRAM、SRAM） 存储器容量的扩展及用存储器设计组合逻辑电路的概念 7.4 存储器容量的扩展 7.3 随机存储器（RAM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.1 概述 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 第七章 半导体存储器 7.1 概 述 半导体存储器是能存储大量二值信息的半导体器件。 从存、取功能上分为 衡量存储器性能的重要指标：存储容量和存取速度。 只读存储器（ROM） 优点：电路结构简单，断电后数据不丢失 缺点：只适用于存储固定数据的场合 随机存储器（RAM） 从制造工艺上分为 双极型 MOS型 功耗低，集成度高，适于制