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磁控溅射法沉积ITO薄膜的工艺参数研究 　　【摘 要】 本文通过磁控溅射法沉积ITO薄膜，并通过控制溅射功率，含氧量，压强的方法制备ITO薄膜。根据薄膜透过率，载流子迁移率，薄膜电阻率，载流子浓度所需的霍尔效率等来综合判断制备的薄膜的优劣，从而得出磁控溅射法制备ITO薄膜的适宜参数值。 　　【关键词】 磁控溅射法 ITO薄膜 工艺参数 适宜条件 　　ITO薄膜作为一种新型半导体材料被应用于多个领域，各国对其生产工艺和产品的发展前景十分看好，但我们国家关键的镀膜工艺与先进国家还有很大的差距。要提高ITO薄膜的制作工艺，需要确定其适宜的各项参数。本项目通过制作的ITO薄膜的性质来确定其适宜的各项参数，具有实际意义。 　　1 实验方法与过程 　　实验材料与仪器：1cm*1cm的石英玻璃、JPGF-400磁控溅射仪 　　（1）按照规定流程启动总电源，然后在大气状态下将溅射室泵抽至真空状态。待到以上步骤完成，然后将清洗好的样品放入衬底托内，将其放入样品转台内，然后再将溅射室上盖落下。控制实验环境完成对衬底的溅射后，便可停止溅射镀膜，并且取出样品。最后关机，关闭电源即可。 　　（2）由于衬底材料为石英玻璃，其具有优良的耐热性能，因此实验温度可以适当增高温度； 　　（3）控制含氧量范围在1-1/40，压强在1.0pa的条件下，溅射功率分别为30W，50W，70W，90W，110W，130W，150W。得到7个ITO薄膜，利用同实验一的方法，找到一个较好的功率范围； 　　（4）控制功率80W，压强在0.8pa、1.0pa、1.5pa、2.0pa的条件下，含氧量分别在1-1/40的范围内，得到3个ITO薄膜，利用同（3）的方法，找到一个较好的压强范围； 　　2 实验结果 　　实验所得数据表格： 　　3 结语 　　（1）在室温条件下，溅射功率为80W的条件下，电阻率在压强为0.8pa和3.0pa附近时最小，迁移率在压强为3.0pa附近最大，载流子浓度在压强为0.8pa和3.0pa附近时最大； 　　（2）在室温条件下，压强为2.0pa时薄膜的透过率最佳。当压强为0.8pa、1.0pa、1.5pa、2.0pa时，波长为400 nm到800 nm的实验中的薄膜透过率平均值分别为84.3284、85.6334、83.7893、91.3351； 　　（3）在室温条件下，压强为1.0pa的条件下，电阻率在溅射功率为150W附近时最小，迁移率在溅射功率为150W附近时最大，载流子浓度在溅射功率为300W时最大。 　　（4）由上可以总结到：在Ar/O2=60/0.5时，薄膜透过率最高。 　　参考文献： 　　[1]蔡琪，曹春斌，江锡顺，等.ITO薄膜的微结构表征及其组分特征[J].真空科学与技术学报，2007，27（3）：195-199. 　　[2]马卫红，蔡长龙.磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究.真空，2011，6：18-20. 　　[3]朱葛俊，张波，徐良.磁控溅射Zr掺杂ITO薄膜在3种模拟腐蚀环境中的电学稳定性和耐腐蚀性.《材料保护》，2012，6：32-38.