一种1200V平面快恢复二极管终端结构的设计.PDF

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１０２２ 一种 平面快恢复二极管终端结构的设计 １２００ Ｖ 殷丽，王传敏 （北京微电子技术研究所北京， ） １０００７６ 摘要：主要通过对场板和场限环结构的理论分析，总结了器件终端结构影响击穿电压的相关 因素提出采用场限环和场板的组合设计可大大降低环间距氧化层厚度及氧化层电荷对击穿 ， ， 、 电压的影响、简化工艺，获得最佳的耐压效果。利用二维器件模拟软件 模拟具有 高 Ｍｅｄｉｃｉ １２００Ｖ 压阻断能力的平面快恢复二极管（ ），最后通过实际流片验证此终端结构具有良好的电压重 ＦＲＤ 复性及一致性对功率器件终端结构的设计具有一定借鉴意义 。 。 关键词击穿电压平面终端结构场板场限环优化设计 ： ； ； ； ； 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）增刊 ＴＮ３１ Ａ １００３３５３Ｘ ２０１０ ００７４０５ Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ Ｖｏｌｔａｇｅ １２００ Ｖ Ｐｌａｎａｒ Ｆａｓｔ Ｒｅｃｏｖｅｒｙ Ｄｉｏｄｅ ， Ｙｉｎ Ｌｉ Ｗａｎｇ Ｃｈｕａｎｍｉｎ （ ， ， ） Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００７６ Ｃｈｉｎａ ： （ ） （ ） ， Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｔｈｅ ｆｉｅｌｄ ｐｌａｔｅ ＦＰ ａｎｄ ｆｉｅｌｄ ｌｉｍｉｔｉｎｇ ｒｉｎｇ ＦＬＲ ｔｈｅｏｒｙ ｗａｓ ａｎａｌｙｚｅｄ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ ａｎｄ ｔｈｅ ｒｅｌａｔｅｄ ｆａｃｔｏｒｓ ｏｆ ｔｈｅ ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ ｗｅｒｅ ｓｕｍｍａｒｉｚｅｄ． Ａ ｍｉｘｅｄ ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｂｏｕｔ ＦＰ ａｎｄ ＦＬＲｗａｓ ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ． Ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｃｏｍｂｉｎｅｓ ｔｈｅ ｍｅｒｉｔｓ ｏｆ ＦＰ ａｎｄ ＦＬＲ ｔｏ ｒｅｄｕｃｅ ｔｈｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｒｉｎｇ ， ｓｐａｃｉｎｇ ｏｘｉｄｅ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ａｎｄ ｏｘｉｄｅ ｃｈａｒｇｅ ｏｎ ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ． Ｉｔ ｃａｎ ｓｉｍｐｌｉｆｙ ｔｈｅ ｗｈｏｌｅ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ （ ） ａｎｄ ｇｅｔ ｔｈｅｈｉｇｈｂｒｅａｋｄｏｗｎｖｏｌｔａｇｅｉｎｔｈｅｍｅａｎｔｉｍｅ． Ａ １２００ Ｖｆａｓｔ ｒｅｃｏｖｅｒｙ ｄｉｏｄｅ ＦＲＤ ｗｉｔｈｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅ