单元二PN二极体.doc

單元二 PN二極體 單元能力目標 評量標準及配分 能了解PN二極體的特性 能了解二極體對溫度的影響 能畫出二極體的三大近似特性曲線及等效模型 能進行理想二極體計算 能了解PN二極體的特性(45分) 能了解二極體對溫度的影響(10分) 能畫出二極體的三大近似特性曲線及等效模型(15分) 能進行理想二極體計算(30分) 一、重點整理 1.對於PN二極體之空乏區如未加上偏壓時，空乏區應含有不動之正離子與負離子 2.在室溫下，未加偏壓之PN二極體，在PN接面附近的狀況為P端帶負電，N端帶正電 3.電源正端接二極體P端、負端接二極體N端稱為順向偏壓，空乏區的寬度變窄 4.電源正端接二極體N端、負端接二極體P端稱為逆向偏壓，空乏區的寬度變寬 5.二極體施以逆向電壓時，仍然有小量電流，是因少數載子的流動所導致，此小量電流稱為逆向飽和電流，俗稱漏電流 6.對鍺而言，溫度每上升1OC，障壁電壓下降1.0mV 7.對矽而言，溫度每上升1OC，障壁電壓下降2.5mV 8.對矽及鍺而言，溫度每上升10OC，逆向飽和電流(俗稱漏電流)增加一倍，公式為： 9.要能繪出二極體的實際特性曲線及三大近似特性曲線及等效模型 10.理想二極體順向時視為短路，逆向時視為開路 二、例題講解 1. 對於PN二極體之空乏區如未加上偏壓時，空乏區應含有不動之 離子與 離子。（評量1） 2. 電源正端接二極體P端、負端接二極體N端稱為 偏壓，空乏區寬度 。（評量1） 3. 對鍺而言，溫度每上升1OC，障壁電壓下降 mV。（評量2） 4. 對矽及鍺而言，溫度每上升10OC，逆向飽和電流(俗稱漏電流)增加 倍。（評量2） 5. 理想二極體順向時視為 路，逆向時視為 路。（評量4） 6. 如右圖所示，若D為理想二極體，則（評量4） (1)在10kΩ上的電壓和電流分別為何 ? (2)在D上的電壓和電流分別為何 ? 7. 如右圖所示，若D為理想二極體，則（評量4） (1)在2kΩ上的電壓和電流分別為何 ? (2)在D上的電壓和電流分別為何 ? 8. 如圖所示之理想二極體電路，則電流I與C點電壓分別為 ? （評量4） 三、練習題 1.在室溫下，未加偏壓之PN二極體，在PN接面附近的狀況為P 型半導體帶 電，N 型半導體帶 電。（評量1） 2.電源正端接二極體N端、負端接二極體P端稱為 偏壓，空乏區寬度 。（評量1） 3.二極體施以逆向電壓時，仍然有小量電流，是因 數載子的流動所導致。（評量2） 4.對矽而言，溫度每上升1OC，障壁電壓下降 mV。（評量2） 5.請繪出二極體的實際特性曲線及三大近似解等效模型。（評量3） 6.如右圖若D反接，則（評量4） (1)在10kΩ上的電壓和電流分別為何 ? (2)在D上的電壓和電流分別為何 ? 7.如右圖若D反接，則（評量4） (1)在2kΩ上的電壓和電流分別為何 ? (2)在D上的電壓和電流分別為何 ? 8.如右圖所示之理想二極體電路，則電流I與C點電壓分別為 ? （評量4） 高二電子學基礎能力課程 開南商工電機電子群教學研究會 -1- 5K