ALE法对InSbGaAs异质薄膜电学性能的改进.pdf

第47卷 第 1期 激 光 与 红 外 Vo1．47，No．1 2017年 1月 LASER INFRARED January，2017 文章编号：1001—5078(2017)01-0067-05 ·红外材料与器件 · ALE法对 InSb／GaAs异质薄膜 电学性能的改进 尚林涛，刘 铭，周 朋，邢伟荣，沈宝玉 (华北光电技术研究所，北京 100015) 摘 要：以GaAs(100)为衬底，采用原子层外延(ALE)的方法在GaAs缓冲层和常规 InSb外延 层间引入85个周期约30nm的InSb低温缓冲层，以快速降低InSb和GaAs界面间较大的晶格 失配(14．6％)对外延层质量造成的不利影响，从而改进异质外延薄膜的电学性能。实验结果 显示，ALE低温缓冲层能较快地释放晶格失配应力，降低位错密度。室温和77K的Hall测试 显示，引入低温ALE缓冲层生长的InSb／GaAs异质外延薄膜 ，其 InSb外延层本征载流子浓度 和迁移率等电学性能较常规的方法有着较大的改进。 关键词：分子束外延；原子层外延 ；本征 ；InSb；GaAs 中图分类号：TN213 文献标识码 ：A DOI：10．3969／j．issn．1001-5078．2017．01．013 ElectricalperformanceofInSb／GaAsfilmsimprovedbyALE SHANG Lin—tao，LIU Ming，ZHOU Peng，XINGW ei—rong，SHEN Bao—yu (NorthChinaResearchInstituteofElectro—optics，Beijing100015，China) Abstract：TakingGaAs(100)asasubstrate，an85periodsInSblowtemperaturebufferlayerwithabout30nmthick isintroducedbetweenGaAsbufferlayerandInSbepitaxiallayerbyALEmethod，whichrapidlyreducestheinfluence oflatticemismatchbetweenInSbandGaAsonepitaxiallayer，thus，theelectricalpropertiesofheteroepitaxial films willbeimproved．TheexperimentalresultsshowInSblowtemperaturebufferlayercanrapidlyreleasethestressoflat· tieemismatchandreducedefectdensity．Halltestsatroomtemperatureand77KshowtheelectricalpropertiesofInSb epitaxial layergrownbyALEmethodaresignificantlyimprovedcomparedwiththeconventionalmethod． Keywords：MBE；ALE；intrinsic；InSb；GaAs 1 引 言 力竞争对手。 InSb作为窄带隙半导体 (室温能隙0．165eV)， 国外用分子束外延技术 (MolecularBeamEpi— 是理想的中波 (3～5 m )红外材料 ¨J。它的量子 taxy，MBE)进行 InSb的工艺生长及外延层特性评 效率至少可达60％。目前以色列在 InSb红外探 价的报道