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4-光电材料研究现状
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光电材料的研究现状与未来
徐智谋
2
“十一·五 ”国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域重大项目“半导体照明工程”2006年度课题申请指南 研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品是《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》工业节能优先主题的重要内容。“半导体照明工程”项目在“十一五”的战略目标是:通过自主创新,突破白光照明部分核心专利,解决半导体照明市场急需的产业化关键技术,建立完善的技术创新体系与特色产业集群,完善半导体照明产业链,形成我国具有国际竞争力的半导体照明新兴产业。
“十一·五”863项目重大项目
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本项目分解为七个研究方向:
第三代宽禁带半导体外延材料生长和器件技术研究;
130lm/W半导体白光照明集成技术研究;
100lm/W功率型LED 制造技术开发;
MOCVD装备核心技术及关键原材料产业化技术开发;
半导体照明重大应用技术开发;
半导体照明规模化系统集成技术研究;
半导体照明产业技术标准、评价体系与专利战略研究。
此次发布的课题申请指南经费预算为22000万元。
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“十·五”863项目申请指南
(一)新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和特种光电子器件
1、光电子基础材料、生长源和关键设备 研究目标:突破新型生长源关键制备技术,掌握相关的检测技术;突破半导体光电子器件的基础材料制备技术,实现产业化。 研究内容及主要指标: 1) 高纯四氯化硅(4N)的纯化技术和规模化生产技术(B类,要求企业负责并有配套投入) 2) 高纯(6N)三甲基铟规模化生产技术(B类,要求企业负责并有配套投入)
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3) 可协变(Compliant)衬底关键技术(A类) 4) 衬底材料制备与加工技术(B类) 重点研究开发外延用蓝宝石、GaN、SiC等衬底材料的高标抛光产业化技术(Epi-ready级);大尺寸(2)蓝宝石衬底材料制备技术和产业化关键技术。蓝宝石基GaN器件芯片切割技术。 5) 用于平板显示的光电子基础材料与关键设备技术(A类) 大面积(对角线14″)的定向排列碳纳米管或纳米棒薄膜生长的关键技术; 等离子体平板显示用的新型高效荧光粉的关键技术。
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2、人工晶体和全固态激光器技术
研究目标:研究探索新型人工晶体材料与应用技术,突破人工晶体的产业化关键技术,研制大功率全固态激光器,解决产业化关键技术问题。 研究内容及主要指标: 1) 新型深紫外非线性光学晶体材料和全固态激光器(A类); 2) 面向光子/声子应用的人工微结构晶体材料与器件 (A类); 3) 研究开发瓦级红、蓝全固态激光器产业化技术(B类),高损伤阈值光学镀膜关键技术(B类),基于全固态激光器的全色显示技术(A类); 4) 研究开发大功率半导体激光器阵列光纤耦合模块产业化技术(B类); 5) Yb系列激光晶体技术(A类)。
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3、新型半导体材料与光电子器件技术
研究目标:重点研究自组装半导体量子点、ZnO晶体和低维量子结构、窄禁带氮化物等新型半导体材料及光电子器件技术。 研究内容及主要指标: 1) 研究ZnO晶体、低维量子结构材料技术,研制短波长光电子器件 (A类) 2) 自组装量子点激光器技术 (A类) 3) Ⅲ-Ⅴ族窄禁带氮化物材料及器件技术(A类) 4) 光泵浦外腔式面发射半导体激光器(A类)
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4、 光电子材料与器件产业化质量控制技术(A类)
研究目标:发展人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件表征评价技术,解决产业化质量控制关键技术。 研究内容:重点研究人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件质量监测新方法与新技术,相关产品测试条件与数据标准化研究。
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5、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预测研究(A类)
研究目标:提出光电子新材料、新器件的构思,为原始创新提供理论概念与设计 研究内容:针对光电子技术的发展需求,结合本主题的研制任务,采用建立分析模型、进行计算机模拟,在不同尺度(从原子、分子到纳米、介观及宏观)范围内,阐明材料性能与微观结构的关系,以利性能、结构及工艺的优化。解释材料制备实验中的新现象和问题,预测新结构、新性能,预报新效应,以利材料研制的创新。低维量子结构材料新型表征评价技术和设备。
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(二)通信用光电子材料、器件与集成技术
1、集成光电子芯片和模块技术
研究目标:突破并掌握用于光电集成(OEIC)、光子集成(PIC)与微光电机械(MOEMS)方面的材料和芯片的关键工艺技术,以典型器件的研制带动研究开发工艺平台的建设和完善,探索集成光电子系统设计和
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