磁控溅射四元靶材法制备17.5％效率CIGS电池研究.pdfVIP

太阳能学报 Vol. 37, No. 11 第37 卷第11 期 2016年 11 月 ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA Nov. , 2016 文章编号:0254-009612016111-2994-05 0 磁控溅射四元靶材法制备17.5 /0效率CIGS 电池研究 欧阳良琦1 ，庄大明 1 ，张 宁2 ，刘沉东2 ，赵 明 1 ，余新平2 (1.清华大学材料学院先进成形制造教育部重点实验室，北京 100084: 2 北京四方创能光电科技有限公司，北京 100085) 擒 要:使用磁控溅射铜锢嫁晒(CuInlιa.SeCIGS) 四元靶材制备沉积态预制膜，重点研究晒化时晒化氢(H，Se) 浓度对吸收层晶粒尺寸以及电池性能的影响。研究表明，当H，Se 浓度从1%提高到5%时，随着比Se 浓度的升高，吸 收层晶粒尺寸增大，减少作为载流子复合中心的晶界缺陷，有利于提高电池开路电压和短路电流，最终提高电池效 率。 H，Se 浓度从5%进一步提高到 10%时，虽然晶粒尺寸进一步增加，但是表面嫁含量下降导致表面禁带宽度降 低，电池开路电压没有进一步提高。通过先晒化后硫化热处理工艺，可得到表面和底部禁带宽度高于吸收层内部 的 U 型能带结构。硫化处理后，电池平均开路电压从539 mV 提高至619 mV，电池平均效率从 14.19毛提高至 15.9%。在制备减反层MgF，后，获得最高效率为 17.5%的电池。 关键词:铜锢嫁晒;磁控溅射;太阳电池;靶材;效率 中图分类号: TM615 文献标t只码:A 行退火处理[9 ，叫。相比通常使用的单质固态晒源， o 51 言 本文采用气态晒化氢(H Se) 作为晒源。 H Se 作为 2 2 气体更容易在空间中分布均匀，比如中的 Se 原子 铜锢嫁晒(CIGS) 太阳电池发展迅速，成为最 具有发展前景的薄膜太阳电池之→[1. 气实验室光 活性较强，能够更好促进 crGS 吸收层的重结晶与 电转换效率高达 21.7%[剖，已经超过多晶硅电池实 晶粒长大。吸收层晶粒尺寸与最终电池性能关系 验室转换效率。目前，通常采用共蒸发法制备 密切。研究结果表明，提高晒化时比如坡度可增大 CIGS 吸收层，部分公司已将此方法运用到产业化 吸收层晶粒尺寸，从而提高电池效率。但是过高的 生产当中:1.4J 。共蒸发法的特点在于可以分别控制 比Se 浓度会导致晒化后薄膜表面 Ga 含量降低，导 Cu , In , Ga ,Se 蒸发源的蒸发速率，易于获得高结晶 致表面禁带宽度下降，不利于电池开路电压的提 质量、成分梯度分布合适的吸收层。但是，这种方 高。通过后续在 H S 气氛中硫化使薄膜表面部分 2 法需要在沉积薄膜时对元素比例进行精确调控，大