无电镀铜锰合金薄膜抑制高温诱发团聚行为研究.PDF

修平學報 第二十七期 民國一○二年九月 HSIUPING JOURNAL VOL.27, pp.155-163 （September 2013 ） 155 無電鍍銅錳合金薄膜抑制高溫誘發 團聚行為研究 摘 要 本研究以真空電漿/化學溶液雙重表面改質，採用全程濕式之無電鍍(Electroless Plating)製程，在 SiO2 介電層表面生長具自我強化的銅錳(Cu-Mn)合金薄膜。在無電鍍 銅鍍液添加的微量 Mn (0.4 at.%)元素，以共沉積方式生長的此種銅錳合金薄膜用於探 討錳異質摻雜物對抑制高溫銅薄膜球狀化之影響。經高溫快速退火處理的無電鍍 Cu-Mn (0.4 at.%)合金薄膜除因溫度誘發的晶粒成長外，薄膜仍能維持其連續性與完整 性，但無電鍍 Cu 薄膜卻會有嚴重的團聚島狀化現象。同步輻射 XAS 能譜分析證實， 經熱處理之無電鍍 Cu-Mn(0.4 at.%)合金薄膜之 Mn 元素會因高溫偏析及氧化，並以 MnO 型態存在於 Cu-Mn 薄膜與 SiO2 界面處。這使得 Cu-Mn(0.4 at.%)合金薄膜具有較 純 Cu 薄膜佳的抑制高溫誘發薄膜團聚行為。 關鍵詞：真空電漿表面改質、無電鍍、銅錳合金薄膜、高溫誘發團聚。 陳松德：修平科技大學電子工程系助理教授 陳錦山：逢甲大學材料科學與工程學系教授 呂育霖：逢甲大學材料科學與工程所碩士 投稿日期： 102 年 6 月 11 日 接受刊登日期：102 年 8 月 8 日 156 修平學報 第二十七期 民國一○二年九月 Investigation of Electroless Cu-Mn Alloy to Suppress Thermal-induced Copper Agglomeration Behaviors Sung-Te Chen, Giin-Shan Chen, Yu-Lin Lu Abstract In this work, a nano-seeding process step, involving dual (vacuum plasma/chemical solution) surface pre-treatment, is applied for the dense growth of ultrafine ( 3 nm) seed particles on SiO2 dielectric layer, facilitating the electroless deposition of barrier-free Cu-Mn alloy thin films. The electroless Cu-Mn thin films were incorporated very minute amounts (0.4 at.%) of manganese. The synchrotron radiation XAS analysis reveals that manganese can be segregated to form an interfacial oxide layer at the SiO2/Cu interface upon high temperature annealing in an Ar-H2 atmosphere. This study demonstrated that the capacity of the electroless Cu-Mn layer in maintaining the integrity of the copper metallization layer by retarding its agglomeration into isolated i