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应变能 产生原因 （1）新/旧相比容不同（比容差应变能） （2）界面错配→新/旧相硬匹配（共格应变能） 例如：错配度↑→弹性应变能？ 错配度↑↑→界面类型？弹性应变能？ 共格界面应变能最大，非共格最小 比容差应变能与新相几何形状有关，球形应变能最大，针状居中，片状最小 3、影响界面类型的因素 比容差；界面能；应变能 过冷度大 临界晶核小、界面多→ 为降低界面能→形成 共格界面以降低界面能→ 减少相变阻力 为保证应变能最小→ 片状 过冷度小 临界晶核大、界面少→ 非共格界面 比容差小时，为减少界面→球状 比容差大时，为降低应变能 →片状 二、两相存在晶体学关系 惯习面 原因：新、旧相原子排列很接近，容易更好地匹配，降低界面能 液态结晶过程没有惯习面 用母相的晶面指数表示 取向关系 原因：由于惯习面的存在，必然使共格、半共格界面之间存在取向关系，非共格无此关系 特点：两相存在彼此保持平行关系的低指数晶面和晶向 三、晶体缺陷处形核 形核部位：优先在晶界、相界、空位、位错、层错处形核 原因 扩散激活能低、速度快，相变应力容易松弛 缺陷畸变能补充一部分形核功 利用缺陷的界面，减少总界面能 成分起伏容易（缺陷是溶质偏聚处） 形核功：晶界非均匀形核最容易，位错次之。 四、形成过渡相 过渡相：成分、结构或二者均处于新/旧相之间，能量高、热力学不稳定 原因：新/旧相成分、结合差异大，相变阻力大，形成过渡相缓解 在条件成熟时，过渡相必然转变为平衡相 五、原子扩散慢 §3形核 1）形核：大于临界晶核半径的晶核的形成过程。 形核率：单位时间和单位体积内形成的晶核数目，取决于临界晶核数目和原子在两相界面间的跃迁频率。 2）生长：新相与母相之间的相界面迁移过程。 扩散控制：存在原子长程扩散，扩散影响相变进程。 界面控制：存在原子界面附近短程扩散，相变速率取决于原子在界面处的可动性。 一、均匀形核 驱动力（体积自由能差），能量来自： 母相内部的能量起伏 依靠变形等因素引起的内应力提供 阻力（界面能、应变能） 应变能是固态相变新增加的一项阻力 形核条件：系统自由能变化△G0 △G=－ △ gvV＋ σS ＋EV 均匀形核 临界形核功△G*：1-2公式 由于比液态结晶多了应变能，所以△G*增大 形核率与凝固相似，1-3公式 由于原子扩散激活能和△G*大，均匀形核率比凝固时更难 二、非均匀形核 驱动力 体积自由能差 晶体缺陷和自由表面→释放能量 阻力 界面能 应变能 形核条件： △G 0 △G=－ △ gvV － △Gd ＋ σS ＋EV 临界形核能小（与均匀形核相比） 缺陷在形核时的作用 空位加速扩散；空位群组成位错 位错 新相在位错线 上形核→位错消失→畸变能释放 位错能够构成新相半共格界面中的一部分→补偿错配→应变能降低 溶质偏聚→接近新相成分（能量起伏） 扩散通道 形成分解位错→提高核胚位置 晶界：为降低界面能 ，非共格一侧界面→球冠状。半共格、共格一侧界面→平面 形核排序 自由表面＞晶界或相界＞层错＞位错＞空位＞均匀形核（驱动力非常大时发生） §4晶核长大 一、新相长大机理 相变类型不同→新相长大机制不同 界面结构不同→新相长大机制不同 例如： 两相成分→不同→长程扩散→伴随传质过程 两相成分→相同→短程扩散或无扩散 1、半共格界面迁移 切变 大量原子有规则沿某一方向作小于一个原子间距的瞬时移动，并保持原有相邻关系不变→协同长大。 台阶长大 平界面：界面沿法向迁移困难 台阶面：可以通过台阶的侧向移动实现界面沿法向推进 2、非共格界面迁移 原子无邻近关系 原子移动无先后顺序 任何位置都可以接受和输出原子 微观区域可能存在台阶长大机制 扩散相变 二、新相长大速度（扩散相变） 1、无成分变化的新相长大 例如同素异构、再结晶、晶粒长大 实质是相界面附近原子短程扩散进行晶格改组，长大速度受界面扩散控制 长大速度取决于新/旧相原子相互进入的频率、势垒 长大速度1-7公式，抛物线状规律 △T很小→长大速度随温度降低而增大。 △T很大→长大速度随温度降低而降低。 2、有成分变化的新相长大 界面附近存在浓度梯度 新相内部也存在溶质浓度梯度变化→扩散 溶质在新相中长程扩散，长大速度由扩散速度决定的，根据Fick第一定律计算 公式1-11：长大速度与扩散系数、界面处浓度梯度呈正比，与相界平衡时的浓度差呈反比 §5相变动力学 形固态相变动力学分析主要取决于： 精确的测量信息； 模块化动力学解析模型。核、长大速度与温度有关→相变速度与温度有关 数学公式不精确 实验测定的等温转变曲线（描述转变量与温度、时间的关系）比较实用 相变过程的分析方法 热分析方法：在程序控制温度条件下，测量物质的物理性质随温度