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2017-06-01 发布于湖北
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关于IGBT的讨论

关于IGBT的讨论 l IGBT 的基本结构 l l IGBT 的工作原理和工作特性 a i r l IGBT 的擎住效应和安全工作区 T l IGBT 的驱动与保护技术 r l 集成IGBT 驱动电路EXB841 e v l EXB841 原理分析 i w t r m. l 使用IGBT 中的注意事项和EXB841 典型应用电路 D o c n. IGBT 的基本结构 o Fe z . 绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了 Dw 一个 P 型层。根据国际电工委员会 IEC ／TC （CO ） 13 3 9 文件 P w 建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 w n 图 2 － 53 所示为一个 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源 o + 区，附于其上的电极称为源极。 N 区称 e 为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形 Z 成。在漏、源之间的 P 型区（包括 P+ 和 P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区（Drain injector ），它是 IGBT 特有