会议程序081122.pdfVIP

第十五届全国化合物半导体材料、 微波器件和光电器件 学术会议 日 程 安 排 主办单位：中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会 承办单位：中山大学光电材料与技术国家重点实验室 广州市科学技术协会 协办单位：广州市南山自然科学学术交流基金会 2008 年 11 月 广州 会场平面示意图 会场平面示意图 二楼二楼 二楼二楼 三楼 2 会议日程 11月30日 12月1日 12月2日 12月3日 地点 帝苑厅 凯旋厅 凯旋８厅 凯旋７厅 凯旋６厅 凯旋厅 凯旋８厅 凯旋７厅 凯旋６厅 酒店大堂 时间 （二楼） （三楼） （三楼） （三楼） （三楼） （三楼） （三楼） （三楼） （三楼） GaN-Ａ GaAs/InP-Ａ ZnO-Ａ GeSiC-Ａ GaN-Ｃ GaAs/InP-Ｄ ZnO-D OLED 上午-I 大会报告 材料(1) 电子器件 电致发光 材料生长 发光器件(1) 材料 材料表征 照明及显示 （I） 8：00开始 第2页 第3页 第4页 第5页 第6页 第7页 第8页 第9页 GaN-Ｂ GaAs/InP-Ｂ ZnO-Ｂ GeSiC-Ｂ GaN-Ｄ GaN-Ｅ GaN-F 其他 上午-II 大会报告 材料(2) 探测器及放大器 探测器及材料 相关器件 发光器件(2) 电子器件(1) 材料(3) 华美达 （II） 第2页 第3页 第4页 第5页 第6页 第7页 第8页 第9页 大酒店 12：30-13:30 工作午餐及午休 （12:30-13:30） 大会报到 GaAs/InP-Ｃ ZnO-C GeSiC-Ｃ GaN-G GaN-H GaN-I GaN-J 下午-I 及注册 大会报告 张贴会场 发光器件 材料生长及表征 外延及器件 探测器及材料 （III） 准备 发光器件(3) 电子器件(2) 2DEG及其理论 13:30开始 第3页 第4页 第5页 评价 8:00-22:00 第6页 第7页 第8页 第9页 大会报告