第四章双极晶体管的频率特性.pptVIP

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  • 2017-06-02 发布于广东
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第四章双极晶体管的频率特性

晶体管的频率参数 因 所以 fT 可表为: 当忽略 时,有: 对于 fa 500 MHz 的晶体管,τec 中以τb 为主,这时: 定义:当 降为 1 时的频率称为 特征频率 ,记为 fT 。 由 可解出: fT 的测量: 实际测量 fT 时,不一定真的测到使 下降为1 时的频率,而是在 的条件下测量 (可以大于1),然后根据 ,即可得到: 由于上式,fT 又称为晶体管的 增益带宽乘积。 高频管的工作频率一般介于 fβ 与 fT 之间。 对 fT 有影响的还有其它一些次要因素,如 发射区延迟时间: 对  的修正: CTC 中还应包括延伸电极的寄生电容,等等。 积累超量储存电荷的时间 缓变基区晶体管 关系曲线: 也有类似的频率特性。 例:某C 波段低噪声小信号晶体管,具有如表 1(p.

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