GGNMOS(grounded-gate NMOS)ESD保护结构原理说明.pdfVIP

IC设计小镇设计小镇: 收集整理 设计小镇设计小镇 GGNMOS （grounded-gate NMOS ）ESD 保 护结构原理说明 在早期的 ESD 保护方案中，这种反接在电源间的 diode 结构被广泛应用。 正向连接的 diode 可以更好的处理大电流传输，但由于其较低的正向启动点压 （6.5V ），这样就限制了其在较高电源电平的电路中的应用。多极串联 diode （正 向或者反向）可以解决这个问题，但是，同时由于其阻抗的增加减弱了其电流处 理能力。用大尺寸的 diode 提高 ESD 保护性能的同时会产生更多的寄生效应。 目前 I/O 中还添加了应用广泛的 ggNMOS （grounded-gate NMOS ）ESD 保 护结构，Drain 端接至 PAD ，Gate 端接至电源地。ESD 保护利用其寄生的 NPN 三极管，形成一个低阻抗的放电通路，以此来保护 IC 的内部电路。 如下图所示 GGNMOS 静电保护的工作原理 GGNMOS 的剖面结构如下 当 PAD 端聚集大量的负电荷时，通过 Drain 端与 P-substrate 之间的 PN 结， IC设计小镇设计小镇: 收集整理 设计小镇设计小镇 电荷由 B 端泻放到 GND 。 当 PAD 端聚集大量的正电荷时，利用的是寄生的三极管。寄生三极管的启 动原理如下说明。 1、 大量的正电荷聚集在 Drain 端，一定的正电荷通过 Drain 和 P-substrate 之间反偏的 PN 结转移至 Psubstrate ，这部分正电荷聚集到同为 P 型材 料的 B 端，转移到 GND 。 如下图所示 2、 聚集到 B 端的正电荷，使得与 Source 端的 PN 结导通，由此导通寄生 的三极管。如下图所示 3、 寄生的三极管被打开，大量的正电荷通过 Gate 下面的区域迅速由 Drain 端转移到 Source 端。聚集的正电荷得以快速的泻放到地。 如下图所示 在 GGNMOS 结构的 ESD 保护中，器件的的不均匀性将影响到其性能，在 layout IC设计小镇设计小镇: 收集整理 设计小镇设计小镇 的时候需要充分考虑到这个问题，同时可对器件进行改进，增加 Drain 端的宽度， 在电路中相当于添加小电阻，减小电流，提高其均匀性。 GGPMOS 的工作原理可由此类推。 该技术文档由 分析整理收集，有任何关于该文档的技 术问题及错误可以到 模拟后端版块直接讨论交流，相互学 习改进！ IC设计小镇设计小镇: 设计小镇设计小镇