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氢氟酸加入量对钛基半导体结构演变及光催化性能的影响
物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
Month Acta Phys. -Chim. Sin. 2017, 33 (X), 0001−0009 0001
[Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB201705127
氢氟酸加入量对钛基半导体结构演变及光催化性能的影响
* *
张 昊 李新刚 蔡金孟 王亚婷 武墨青 丁 彤 孟 明 田 野
(天津大学化工学院，天津化学化工协同创新中心，天津市应用催化科学与工程重点实验室，天津 300072)
摘要：以钛酸丁酯为钛源，氢氟酸为氟源，采用溶剂热法制备了一系列钛基半导体纳米晶，考察了氢氟
酸加入量对纳米晶结构演变的影响，并通过光催化产氢、光降解罗丹明B及瞬态光电流响应测试了所得
纳米晶的光催化性能。当不加氢氟酸时，所得纳米晶为TiO 纳米颗粒，主要暴露{101}面。加入少量氢氟
2
酸时，所得纳米晶为主要暴露{001}面的TiO 纳米片，这是由于氟离子吸附于纳米晶表面，降低{001}面
2
表面能所致。由于{001}面与{101}面间的晶面异质结促进了载流子分离，该样品表现出了最高的光催化
性能。继续增加氢氟酸加入量，氟离子开始进入晶格构成新晶相，所得纳米晶的表面与体相均形成TiO2
与TiOF 混合相，形貌呈现片层堆叠结构，光催化性能下降。当进一步增加氢氟酸加入量后，氟离子全
2
部进入晶格形成大颗粒(NH ) TiO F 。因其具有不适宜光催化反应的能带结构，该物质表现出了较差
4 0.3 1.1 2.1
的光催化活性，但其可作为制备氮、氟掺杂钛基半导体材料的前驱体使用。
关键词：氢氟酸；钛基半导体；结构演变；光催化；光电性能
中图分类号：O643
Effect of the Amount of Hydrofluoric Acid on the Structural Evolution
and Photocatalytic Performance of Titanium Based Semiconductors
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ZHANG Hao LI Xin-Gang CAI Jin-Meng WANG Ya-Ting WU Mo-Qing
*
DING Tong MENG Ming TIAN Ye
(School of Chemical Engineering Technology, Tianjin University, Collaborative Innovation Center for Chemical Science
Engi
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