第二章 杂质和缺陷.pptVIP

第二章 半导体中的杂质和缺陷能级 实际半导体偏离理想情况 缺陷产生的原因： 原子的振动 材料不纯，若干杂质 各种形式缺陷： 点缺陷-空位、间隙原子 线缺陷-位错 面缺陷-层错、晶粒间界 半导体中缺陷实例 P型和N型半导体 LED中的缺陷要求 * 实验表明，极微量的杂质和缺陷对半导体的性质产生决定的影响。 若在105个硅原子中掺入一个磷原子，导电性将增加30倍。 在通常的退火情况下，一般金属或合金中的位错密度约为104-107根/平方厘米，经过冷加工后可增加至1012-1013根/平方厘米 。 炼钢就是将铁中的杂质和碳除掉。 2.1硅和锗中的杂质能级 替位式杂质 间隙式杂质 杂质原子位于晶格原子间的间隙位置 杂质原子取代晶格原子而位于格点处 施主杂质、施主能级 磷原子替代硅原子后，形成一个正电中心和一个多余的束缚电子，束缚电子脱离正电中心后成为自由电子，称电离。电离能为△ED，0.04~0.05eV。 受主杂质、受主能级 浅能级杂质电离能的简单计算 锗△ED=0.0064eV，硅△ED=0. 025eV 考虑到正负电荷处于介质中，则作用力将减弱，束缚能量将减少，同时考虑电子的有效质量。 杂质的补偿作用 NDNA NAND 深能级杂质 2.4 缺陷、位错 点缺陷：热缺陷，杂质，电荷缺陷、 弗伦克尔缺陷：间隙原子、空位对 肖特基缺陷：晶体中形成的空位 半导体材料的高分辨照片（清晰可见刃位错） *