扫描式电子显微镜.PDFVIP

掃描式電子顯微鏡 李承 臻 M9810104 南台科技大學機械工程系 摘要 2. SEM原理 由電子槍 (Electron Gun)產生電子束經柵極（Wehnel 隨著奈米時代的來臨，科學家所要研究的物質的尺 tcylinder ）聚集而形成幾十um 大小的點光源發射 ，經 度已經由微米尺度進而縮小到奈米尺度了。在奈米尺度 過一組磁透鏡聚焦 (Condenser Lens) 聚焦後，使電子束 下，光學顯微鏡已經無法使用（受限於解析度），取而 聚焦成一細小約幾奈米的電子束照射試片表面，用遮蔽 代之的是電子顯微鏡。掃描式電子顯微鏡由於景深大， 孔徑 (Condenser Aperture) 選擇電子束的尺寸 (Beam 對於研究物體之表面結構凾效特冸顯著，例如材料之斷 Size)後，通過一組控制電子束的掃描線圈，再透過物鏡 口、磨損面、塗層結構、夾雜物等之觀察研究 。對生物 (Objective Lens) 聚焦，打在試片上，會激發出二次電 學家來說，SEM的主要好處乃是它能迅速而準確地提 子(Secondary Electron)和背向散射電子 (Backscattered 供細胞和組織表面的立體特徵 ，這也使得掃描式電子顯 Electron) ，試片的上側裝有訊號接收器，用以擇取二次 微鏡 成為現今應用最為廣泛之儀器。 電子或背向散射電子成像 ，此訊號再經由放大器將影像 呈現出來 (如圖2) 。然而SEM 主要觀測的是二次電子和 背向散射電子，當入射的電子束轟擊試件表面時，與試 關鍵詞 ：SEM 、電子顯微鏡 、二次電子、掃描式電子顯 件表面的電子和原子核產生一系列的彈性碰撞與非彈 微鏡。 性碰撞。非彈性碰撞時產生二次電子，彈性碰撞時產生 背向散射電子。 1. 前言 1938年Von ardenne將穿透式電子顯微鏡裝上掃描 線圈製程第一部掃描穿透式電子顯微鏡 （STEM ）；1942 年Zworykin 等人首先以掃描式電子顯微鏡（SEM ）觀察 厚試片，這時 SEM才被正式使用。所以在 1959 年時出 現解析度為 10奈米的 SEM 。直到1965 年，由英國 Cambridge 公司才推出第一部商品化的SEM，隨著SEM 的改良使得解析度提高、操作自動化、電腦化以及價格 的降低。製作容易、影像解析度高、放大倍率可達 10 的 4次方以上 ，且有景深長的特性，亦可清楚的觀察表 面起伏大的物體。因此， SEM已是凾能強大、使用普 及的材料分析設備，如圖 1 。 圖 2. SEM結構示意圖 2.1 二次電子 當入射的電子打在樣品上時，樣品原子的外層電子 會被入射電子給撞擊出表面。如果將入射的電子當作一 次電子的話，被撞擊出的電子就稱作二次電子(如圖 3) 。 二次電子的能量很低，約 3~5電子伏特 (eV) ，而且約 只有從表面淺層 10 奈米以上的區域發出