新奇半导体低维结构地自组织生长！.PDFVIP

前沿进展 新奇半导体低维结构的自组织生长! . 牛智川 - - 黄社松- - 龚- 政- - 方志丹- - 倪海桥- - 孙宝权- - 李树深- - 夏建白 （中国科学院半导体研究所- 半导体超晶格国家重点实验室- 北京- /00012 ） 摘- 要- - 文章介绍了自组织生长半导体量子线、量子点和量子环的进展，同时介绍了这些低维半导体材料在光电 子和通信等领域应用情况’ 此外，对这些材料的一些测试方法也进行了介绍’ 关键词- - 自组织，量子线，量子点，量子环 !#$% $%’()$*+%$, %- ,.*$/./)% $*.0/,1023 2310213$ . 345 6*78(+, - - 95:3; =7,?- - ;@3; 6=,?- - A:3; 6*7B+,- - 34 9+*7C*+ 53 D+7C(+,- - E4 (7=,- - F4: G*+,7D+* （!#$%’ ()%*#%*+ , %* -./ 0*’##$102 3 4$1*%2#*.1#.*02 ，52#$#.#0 %, -06$1%3.1#%*2 ，78$020 9130*+ %, -1$0102 ，:0$; $ /00012 ，78$ ） 4+23)025 5 4, #*H $+$=I ，#= $I?I=HH J H=)J7+HH=KL)=M ?I# JI H=K*!,M(!#I N(+,#(K *I=H ，N(+,#(K M#H +,M N(+,#(K I*,?H *H I=O*==M ，+,M #= +$$)*!+#*,H J #=H= K+#=I*+)H *, #= J*=)MH J $#=)=!#I,*!H +,M #=)=!K7 K(,*!+#*,H +I= M=H!I*L=M’ 4, +MM*#*, ，HK= #=H# K=#MH JI #=H= K+#=I*+)H +I= M*H!(HH=M’ 6$7-3,5 5 H=)J7+HH=KL)=M ，N(+,#(K *I=H ，N(+,#(K M#H ，N(+,#(K I*,?H 引入各种损伤、缺陷和杂质等，严重地影响了它们的 /- 引言 发光特性，而且限于目前工艺的精度，难以得到高密 度结构，这些缺点导致它们在光电子领域中的应用 半导体量子线（CXYH ）、量子点（CBH ）和量子 受到限制，例如早在P0 世纪10 年代，:I+\++ 等 环（CYH ）等低维结构是近年来半导体物理和固态量 ［/0 ］ 人 就提出了CB 激光器模型，但是直到人们成功 ［/—T ］ 子信息材料领域最重要研究内容之一 ’ 由于 地制备出高质量的自组织CB 后，第一个 CB 激光 CXYH 两维受限，CBH 和CYH 三维受限，它们的态密 ［//］ 器才得以实现 ’ 度函数显著不同于量子阱和体材料，从而产生了许 近年来，人们利用#I+,H\* R ]I+H#+,O （] ）生 多独特的光学特性和电学特性，如光吸收、光增益及 长模式自组织生长无位错的CBH［/P ，/2 ］’ 由于其生长 光反射谱更尖锐，激子和杂质的束缚能增大，出现量 技术简单，与现有的外延生长工艺匹配以及潜