电化学法制备p型Cu2O半导体薄膜及其性能的表征.pdfVIP

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2017-06-08 发布于北京
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电化学法制备p型Cu2O半导体薄膜及其性能的表征.pdf

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No．3 第45卷第3期西安交通大学学报 V01．45 XI’AN UNIVERSITYMar．2011 2011年3月 JOURNAL()FJIA()T()NG 电化学法制备P型Cu20半导体薄膜及其性能的表征燕子鹏1’2，蔡舒1，武卫兵2 (1．天津大学材料科学与工程学院，300072，天津；2．济南大学材料科学与T程学院，250022．济南) 摘要：采用电化学沉积方法在铟锡氧化物(IT())导电玻璃上沉积出Cu20薄膜的基础上，研究了络合剂种类、沉积电位和溶液pH值对Cu20薄膜结构和性能的影响．结果表明：在以乳酸为络合剂的电解液中沉积出的Cu2()薄膜的晶粒尺寸比以三乙醇胺为络合剂的电解液中沉积出的薄膜晶粒尺寸大，结晶度好，致密度更高；在合有乳酸络合荆的溶液中，随沉积电位的提高，薄膜成核密度增大，晶粒尺寸减小，致密度提高；随pH值增加，制备的薄膜晶向由沿(200)取向变为沿(111)取 eV．性能，禁带宽度为1．93 关键词：氧化亚铜；电化学沉积；薄膜中图分类号：064文献标志码：A文章编号：0253—987X(2011)03—0121-04 ElectrochemicalandCharacterizationof Deposition of 0Film Cu2 PropertiesP—Type YAN Shul，WU Zipen91～，CAI Weibin92 of Scienceand 2．Schoolof (1．．SchoolMaterial 300072，Chinat Engineering，TianjinUniversity，Tianjin and of 250022。China) Material．Science Jinan。jinan Engineering，University were onIT()substrates． Abstract：Theoxide(Cu2())filmselectrochemicallydeposited cuprous Theeffectsofcoordination and valuesonthestructureand reagents，depositionpotentialspH theelectro— of examined．TheresultsshowthatCu2()filmsfrom propertiesCu2()were deposited withlacticacidasthecoordinationhave size，better and