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硅片的制造工艺;直拉法与区熔法的区别;单晶硅的制备方法;区熔法; 区熔法生长单晶硅锭是把掺杂好的多晶硅棒铸在一个模型里。一个籽晶固定到一端然后放进生长炉中。用射频线圈加热籽晶与硅棒的接触区域。加热多晶硅棒是区熔法最主要的部分，因为在熔融晶棒的单晶界面再次凝固之前只有30分钟的时间。晶体生长中的加热过程沿着晶棒的轴向移动。 ;区熔法的特点;CZ原理及工艺;CZ法生长单晶硅是把熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅。 一块具有所需要晶向的单晶硅作为籽晶来生长硅锭，生长的单晶硅锭就像籽晶的复制品。;CZ法与FZ法比较;CZ各生产环节;拆炉;二、装炉;装料; 按要求正确装料。 重要注意事项： 石英坩埚轻拿轻放。严禁碰伤、玷污； 领料正确，掺杂准确； 液面以下面接触、以上点接触； 原料严禁和其他物体接触，尤其金属和有机物。;装炉;将称好的掺杂剂放入装有多晶硅石英坩埚中（每次放法要一样），再将石英坩埚放在石墨托碗里。;一切工作准确无误后;抽真空、化料;熔硅;引晶;缩颈;缩颈方法;放肩;转肩;等径;等径;收尾;收尾的作用;停炉;韵朵化久汰溃喇腑吓俩桌那喳偶琅酋奏饭墨剪裂山辊妨喳候循以卒锌权挚硅片制造工艺硅片制造工艺;CZ基本工艺;单晶炉提供减压气氛保护、机械运动和自动控制系统 ;单晶炉、热场构造及自动控制;单晶炉、热场构造及自动控制;11测温孔： 测量对应的保温筒外的温度； 12排气口： 氩气的出口，连接真空泵； 13坩埚升降系统： 坩埚升降旋转系统等； 14冷却水管组： 提供冷却水的分配。 ; 报警灯： 异常情况时发出声光报警； 主操作屏： 主要操作在此进行； 状态指示面板： 各电磁阀状态； 手动按钮： 手动机械提升操作； CCD图像： 相机的图像及取样范围；;Flat与Notch的区别; 晶向非常重要，因为它决定了在硅片中晶体结构的物理排列是怎样的。不同晶向的硅片的化学、电学和机械性质都不一样，这会影响工艺条件和最终的器件性能。如果晶体是单晶结构，那么所有的晶胞就都会沿着这个坐标轴重复地排列。 ; ??晶体平面上的方向由一套称做密勒指数的参数所描。在密勒系统的符号里，小括号（）用来表示特殊的平面，而尖括号＜＞表示对应的方向。 ; 对于硅晶体来说，晶胞和金刚石晶体结构的面心立方结构晶胞不同，除了面心立方所具有的那些共有原子之外，还包括完全位于立方结构中的4个原子。对于硅晶胞来说，总共有8个完整原子，其中4个共有原子和4个非共有原子。 ;双极集成电路 衬底通常为(111)晶面或(100)晶面的硅片。;（100） Orientation Plane;（100） Wafer Etch Pits;（111）;（111） Orientation Plane;（111） Wafer Etch Pits;晶向测定的方法; 硅片的晶向是指与硅片表面垂直的方向; 半导体业界传统上在硅单晶锭上做一个定位边来标明晶体结构和硅片的晶向。主定位边标明了晶体结构的晶向。还有一个次定位边标明硅片的晶向和导电类型。 ;硅片定位边或定位槽;工艺的硅片参考面的规定方法 我国国家标准对于用于集成电路 ; 硅片定位边在200 mm及以上的硅片已被定位槽所取代。具有定位槽的硅片在硅片上的一小片区域有激光刻上的关于硅片的信息。对300 mm硅片来讲，激光刻印于硅片背面靠近边缘的没有利用到的区域。现在没有利用的区域一般是3 mm。;谢 谢!