等离子辅助镀膜技术.PDFVIP

第 23 卷 　第 6 期 发 　光 　学 　报 Vol 23 No. 6 2002 年 12 月 CHIN ESE J OURNAL OF L UM IN ESCENCE Dec. , 2002　 文章编号 : (2002) 等离子辅助镀膜技术 贾克辉 , 徐　颖 , 高劲松 , 曹健林 ( 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室光学技术中心, 吉林 长春　130022) 摘要 : 传统的电子束蒸发工艺提供了高速率的沉积 ,但由于成膜分子的能量较低 ,使沉积的薄膜排列密度很 低 ,其性能和块状材料区别很大 , 已有不少学者发现了很多金属和氧化物薄膜具有典型的柱状结构。薄膜的 低排列密度造成了其光学常数和机械性能不如块状材料 ,近几年发展起来的高功率等离子体辅助镀膜技术 ( ) 解决了上述问题。本文报道了我国自己研制的等离子体源 GIS 的性能指标、用这个源所做的单层 TiO2 膜 的成膜工艺与质量 , 以及用等离子辅助沉积的减反射膜的工艺。 关 　键 　词 : 等离子辅助沉积技术 ; 光学镀膜 中图分类号: TN205 　　　文献标识码 : A 　　　 极、硼化镧阴极、石墨加热器、磁场线圈、绝缘件、 1 　引　　言 极靴、进气系统及屏蔽筒等组成。硼化镧阴极由 薄膜科学技术是新材料发展前沿最活跃的领 石墨加热器间接加热至1 500 ℃以上,此时硼化镧 域之一[1～9 ] ,而良好的薄膜制备或改性技术则是 阴极发射电子 ,在阳极与阴极之间加入直流电压 , 赋于材料表面应用功能的基本条件。在薄膜制备 产生辉光放电 ,形成等离子体。等离子体中的电 ( ) 技术中 ,有化学气相沉积技术 CVD 和物理气相 ( ) 沉积技术 PVD 。等离子辅助沉积技术与传统的 沉积手段相比 ,利用等离子辅助不仅可以实现大 面积镀膜 ,而且可使膜的折射率更接近于块状材 料的折射率 ,膜层的牢固度明显增加 ,反射率、透 射率更加接近于理论设计水平[1 ,2 ] 。此项技术已 成为光学薄膜沉积技术的主流。我们利用我国自 ( ) 主开发的等离子体源 GIS 作了单层 TiO2 膜工 艺实验。用 Lambda900 分光光度计和原子力显 微镜对膜的光学性能和微观结构与传统沉积手段 进行了比较 ,结果发现成膜质量明显提高 ,镀出的 图 1 　GIS 源的结构示意图 窗口减反射膜测量值非常接近理论水平。 1 屏蔽筒;2 水冷线圈;3 阳极衬筒;4 硼化镧阴极 ;5 石 ( ) 墨加热器;6 阴极绝缘盖;7 阴极托;8 阴极绝缘座;9 水冷 2 　无栅等离子体源 GIS 电极;10 绝缘盘;11 绝缘子;12 进气通道 ;13 极靴;14 法 GIS 无栅等离子体源为大面积、强流辅助成 兰 ;15 磁场电源 ;16 阴极电源;17 阳极电源 膜用等