MOSFET在感应叠加型高压双方波脉冲发生装置中的应用.pdfVIP

第41 卷第 12 期: 4066-4072 高电压技术 Vo l.41 ,No .l2: 4066-4072 2015 年 12 月 31 日 High Voltage Engineering December 31 , 2015 O.l3336/j .l003-6520.hve.2015 .l2.028 DOI: 1 MOSFET 在感应叠加型高压双方波脉冲 发生装置中的应用 赵鑫叭张乔根1 ，白雁力 2 ，龙井华3 ，刘轩东 1 ，贺元康4 (1.西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安710049; 2. 深圳大学光电子技术研究所，深圳 518060; 3. 深圳大学物理学院，深圳 518060; 4. 西北电网有限公司，西安710048 ) 摘要z 为了获得脉冲间距较小并且可随时调节的高压方波脉冲，利用 MOSFET 响应快、重复频率高的特点研制 出了感应叠加型固态高压双脉冲发生装置，该装置主要由 8 个感应叠加模块组成，每个感应叠加模块由 18 个并联 的功率 MOSFET 构成。每个功率 MOSFET 具有专用的驱动电路，该驱动电路由雪崩晶体管产生的触发脉冲进行 同步触发。通过测试，所搭建的 8 个模块感应叠加装置具有输出高压大电流双方波脉冲的能力，在 100负载条件 下输出的高压大电流双脉冲的峰值电压达3.6kV、峰值电流达360A。输出脉冲底部不平坦度10%。通过优化调 节雪崩触发脉冲的时间-致性，获得的输出高压脉冲的上升沿和下降沿时间分别为20ns 及 30ns。通过调整雪崩 触发脉冲源输出的双触发脉冲的脉宽和脉冲间隔，可调节输出高压双脉冲的脉宽及脉冲间隔。 关键词: MOSFET; 感应叠加:直线型变压器驱动源:高压脉冲发生装直:双方波脉冲:雪崩同步触发 Application of MOSFET in mgh Voltage Double Square-wave puls臼 Generator with Inductive Adder Configuration 1 2 1 3 1 4 ZHAO Xin ,4, ZHANG Qia咿n ， BAI Yanli , LONG Jinghua , LIU Xuandong ，田Yu础ang (1. State Key Laboratory ofElectrical Insulation and Power Equipment, Xian Jiaotong University，刀an 710049 , China; 2. Institute ofOptoelec位onics， Shen才len University, Shenzhen 518060, China; 3. CoIlege ofPhysics, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China; 4. Northwest China Grid Co. , Ltd. , Xi an 710048, China) Abstract: This paper presents a fast MOSFE下based solid-state pulse generator for high voltage double square-wave pulses. The generator consists mainly of an inductive adder system stac