碳掺杂硼氮纳米管电子场发射第一性原理研究！.PDFVIP

第 卷 专刊 年 月 物 理 学 报 3 %$$H 7 ， ， ， RS= *3 MC1E;= 6D?1 %$$H （专刊） #$$$95%H$.%$$H.3 . M%3N9$3 OG)O K+PMQGO MQ(QGO !%$$H GT? * KTUV * MSE * 碳掺杂硼氮纳米管电子场发射的 第一性原理研究! ! 陈国栋 王六定 安 博 杨 敏 （西北工业大学应用物理系，西安 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$ #% # %$$ #% %% 对闭口硼氮纳米管（ ）顶层掺碳体系，运用第一性原理研究了电子场发射性能 结果表明，掺碳的 体 ’(() * ’(() 系电子结构变化显著；外电场愈强，体系态密度向低能端移动幅度愈大，且最高占据分子轨道（ ）最低未占据 +,-, . 分子轨道（ ）能隙愈小 体系态密度和局域态密度， 和 及其能隙分析一致表明，各种碳掺杂体系中 /0-, * +,-, /0-, ! ’(()的场发射性能最佳* 12 关键词：硼氮纳米管，碳掺杂，第一性原理 ： ， ， !## #%34 5#%$6 ##3- 解明显不足 因此，开展此方面研究具有重要的理 * #F 引 言 论价值和现实意义* 本文主要运用密度泛函理 论（ ）研究了纯 以及碳掺杂体系的场发 IJ) ’(() 由于碳纳米管（ ）在电学、力学等方面有着 射性能 G() * ［］ # 奇异性能而兴起了对准一维材料研究的热潮 尽